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무기물 지지체를 준비하는 단계;상기 무기물 지지체 상에 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 형성하는 단계;질소를 포함하는 가스 분위기 하에서 보론 함유 화합물의 존재하에서 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 구비하는 상기 무기물 지지체를 가열 처리하여 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 보론 나이트라이드(BN) 패턴층으로 전환하는 단계를 포함하는 발광 소자용 기판의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 형성하는 단계는,상기 무기물 지지체의 전면을 피복하는 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체의 층을 형성한 후 사진 식각 공정을 이용하여 상기 층의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 기판의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체의 층은 스핀 코팅, 침지 코팅, 스프레이 코팅 또는 증착으로 실시되는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 기판의 제조방법
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제5항에 있어서, 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체의 층의 일부분을 제거하는 단계는 상기 무기물 지지체의 면적을 기준으로 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체의 패턴층의 면적 비율이 20 내지 80 %가 되도록 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정을 이용하여 실시되는 것을 특징으로 하는 발광 소자용 기판의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 가열 처리는 1000 ~ 2000 ℃의 온도, 1×101 ~ 1
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제4항에 있어서, 상기 무기물 지지체는 사파이어(Al2O3), 실리콘(Si), 실리콘카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN), 게르마늄(Ge), 비소화갈륨(GaAs), 산화아연(ZnO), 실리콘게르마늄(SiGe), 산화 갈륨(Ga2O3), 산화리튬갈륨(LiGaO2), 산화리튬알루미늄(LiAlO2), 또는 산화마그네슘알루미늄(MgAl2O4)에서 선택되는 발광 소자용 기판의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 탄소 함유 유기물 전구체는 탄소 함유 유기 고분자인 것을 특징으로 하는 발광 소자용 기판의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 탄소 함유 무기물 전구체는 그래파이트(graphite), 그래핀, 그래핀 산화물(graphene oxide), 활성탄, 탄소 나노 튜브 및 카본 블랙으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 발광 소자용 기판의 제조방법
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무기물 지지체를 준비하는 단계;상기 무기물 지지체 상에 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 형성하는 단계;질소를 포함하는 가스 분위기 하에서 보론 함유 화합물의 존재하에서 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 구비하는 상기 무기물 지지체를 가열 처리하여 상기 탄소 함유 유기물 또는 무기물 전구체 패턴층을 보론 나이트라이드(BN) 패턴층으로 전환함으로써, 상기 무기물 지지체 상에 형성된 상기 보론 나이트라이드(BN) 패턴층을 포함하는 기판을 제공하는 단계;상기 기판상의 상기 보론 나이트라이드(BN) 패턴층 상에 상기 보론 나이트라이드(BN) 패턴층을 피복하는 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체 층상에 형성된 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 제2 도전형 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 도전형 반도체층상의 일부 영역에 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 반도체층상의 일부 영역에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체층을 형성하는 단계 이전에 상기 보론 나이트라이드(BN) 패턴층을 피복하여 평탄화하는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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제20항에 있어서, 상기 제1 전극을 형성하는 단계 이전에 상기 제2 도전형 반도체층 상에 오믹 콘택층을 형성하는 단계를 더 포함하고, 이때 상기 제2 전극은 상기 오믹 콘택층의 일부 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
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