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기판;상기 기판의 상부의 제1 도핑 영역;상기 기판 내에 제공되고, 상기 제1 도핑 영역을 둘러싸고 상기 제1 도핑 영역의 측면과 옆으로 이격된 링 구조의 제2 도핑 영역;상기 제1 도핑 영역 상의 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상의 컨택층; 상기 컨택층 상의 제1 전극; 및상기 제2 도핑 영역 상의 제2 전극을 포함하는 광 수신 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판 내에 제공되고, 상기 제1 도핑 영역을 둘러싸고, 상기 제1 도핑 영역과 상기 제2 도핑 영역의 사이에 형성된 링 구조의 제3 도핑 영역을 더 포함하고, 상기 기판은 진성 실리콘 기판이며, 상기 제1 도핑 영역 및 상기 제3 도핑 영역은 제1 도전형이며, 상기 제2 도핑 영역은 제2 도전형인 광 수신 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판 내에 제공되는 상기 제1 도핑 영역 아래의 제4 도핑 영역; 및상기 기판 내에 제공되고, 상기 제1 도핑 영역 및 상기 제2 도핑 영역을 둘러싸는 링 구조의 제3 도핑 영역을 더 포함하고,상기 제1 도핑 영역 및 상기 제3 도핑 영역은 제1 도전형이며, 상기 기판은 제2 도전형 실리콘 기판이며, 상기 제2 도핑 영역 및 상기 제4 도핑 영역은 제2 도전형이며, 상기 제4 도핑 영역은 상기 기판보다 도핑 농도가 더 높은 광 수신 소자
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제 3 항에 있어서,상기 제1 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형은 n형인 광 수신 소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 도핑 영역은 평면적으로 보아, 복수의 링들을 갖는 광 수신 소자
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제 5 항에 있어서,상기 복수의 링들의 하부면들의 깊이가 서로 다른 광 수신 소자
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제 5 항에 있어서,상기 복수의 링들은 서로 다른 도핑 농도를 갖는 광 수신 소자
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제 1 항에 있어서,상기 광 흡수층은 게르마늄, 갈륨비소, 인화인듐, 및 인듐갈륨비소 중에서 선택되는 어느 하나를 포함하는 광 수신 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판 상에 돌출되고, 상기 제1 도핑 영역을 둘러싸는 링 구조의 에치드 가드링을 더 포함하고, 상기 기판 및 상기 에치드 가드링은 진성 실리콘이며, 상기 제1 도핑 영역은 제1 도전형이며, 상기 제2 도핑 영역은 제2 도전형인 광 수신 소자
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10
기판;상기 기판 상에 돌출되고, 제1 방향으로 연장하는 광 도파로;상기 광 도파로의 상부의 제1 도핑 영역;상기 광 도파로와 상기 제1 방향에 교차하는 제2 방향으로 이격된 제2 도핑 영역들;상기 제1 도핑 영역 상의 광 흡수층; 및상기 광 흡수층 상의 컨택층을 포함하며,상기 기판은 매몰 산화층을 포함하는 광 수신 소자
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제 10 항에 있어서,상기 기판 및 상기 도파로들은 진성 실리콘이며, 상기 제1 도핑 영역은 제1 도전형이며, 상기 제2 도핑 영역들은 제2 도전형인 광 수신 소자
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12
제 10 항에 있어서,상기 기판 내에 제공되고, 상기 제1 도핑 영역 아래의 제3 도핑 영역을 더 포함하며, 상기 제1 도핑 영역은 제1 도전형이며, 상기 제2 도핑 영역 및 제3 도핑 영역은 제2 도전형이며, 상기 기판 및 상기 도파로들은 제2 도전형 실리콘인 광 수신 소자
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13
제 12 항에 있어서,상기 제1 도전형은 p형이고, 상기 제2 도전형은 n형인 광 수신 소자
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