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상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법(Predicting method for SET time and DATA retention time of PcRAM)

기술번호 : KST2016014233
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 기판 및 상기 기판의 적어도 일면 상에 상변화물질의 피막이 형성된 부재를 승온시키면서 상기 기판의 곡률변화를 측정하는 단계; 상기 측정된 곡률변화로부터 상기 상변화물질의 결정화 온도(Tx) 및 과냉액상온도구역(Tx-Tg)을 도출하는 단계; 및 상기 결정화 온도(Tx) 및 상기 과냉액상온도구역(Tx-Tg)을 매핑하여 세트시간 및 데이터 유지시간을 예측하는 단계;를 포함하거나, 기판 및 상기 기판의 적어도 일면 상에 상변화물질의 피막이 형성된 부재를 승온시키면서 상기 기판의 곡률변화를 측정하는 단계; 상기 측정된 곡률변화로부터 상기 상변화물질의 결정화 온도(Tx) 및 프래질리티(fragility)를 도출하는 단계; 및 상기 결정화 온도(Tx) 및 상기 프래질리티의 역수를 매핑하여 세트시간 및 데이터 유지시간을 예측하는 단계;를 포함하는, 상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법을 제공한다.
Int. CL	G11C 29/08 (2015.01) G11C 29/12 (2015.01) G11C 29/50 (2006.01) G11C 11/56 (2006.01) G11C 29/02 (2006.01) G11C 29/56 (2015.01) G11C 29/04 (2006.01) G11C 7/04 (2006.01)
CPC	G11C 29/12015(2013.01) G11C 29/12015(2013.01) G11C 29/12015(2013.01) G11C 29/12015(2013.01) G11C 29/12015(2013.01) G11C 29/12015(2013.01) G11C 29/12015(2013.01)
출원번호/일자	1020150009790 (2015.01.21)
출원인	서울대학교산학협력단
등록번호/일자	10-1650481-0000 (2016.08.17)
공개번호/일자	10-2016-0090034 (2016.07.29) 문서열기
공고번호/일자	(20160823) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.01.21)
심사청구항수	5

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	서울대학교산학협력단	대한민국	서울특별시 관악구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	주영창	대한민국	서울특별시 강남구
2	조주영	대한민국	서울특별시 동작구
3	박용진	대한민국	서울특별시 관악구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김남식	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2	이인행	대한민국	서울특별시 서초구 남부순환로**길 -, 층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	서울대학교 산학협력단		서울특별시 관악구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2015.01.21	수리 (Accepted)	1-1-2015-0062765-51
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
4	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2015.08.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2015.10.08	수리 (Accepted)	9-1-2015-0063536-34
6	등록결정서 Decision to grant	2016.05.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0359703-00
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
9	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 및 상기 기판의 적어도 일면 상에 상변화물질의 피막이 형성된 부재를 승온시키면서 상기 기판의 곡률변화를 측정하는 단계;상기 측정된 곡률변화로부터 상기 상변화물질의 결정화 온도(Tx) 및 과냉액상온도구역(Tx-Tg)을 도출하는 단계; 및상기 결정화 온도(Tx) 및 상기 과냉액상온도구역(Tx-Tg)을 매핑하여 세트시간 및 데이터 유지시간을 예측하는 단계;를 포함하는,상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법
2	2 기판 및 상기 기판의 적어도 일면 상에 상변화물질의 피막이 형성된 부재를 승온시키면서 상기 기판의 곡률변화를 측정하는 단계;상기 측정된 곡률변화로부터 상기 상변화물질의 결정화 온도(Tx) 및 프래질리티(fragility)를 도출하는 단계; 및상기 결정화 온도(Tx) 및 상기 프래질리티의 역수를 매핑하여 세트시간 및 데이터 유지시간을 예측하는 단계;를 포함하는,상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법
3	3 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 상변화물질은 Ge2Sb2Te5를 포함하는,상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법
4	4 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 상변화물질은 알루미늄(Al), 비스무트(Bi), 탄소(C) 및 질소(N) 중 적어도 어느 하나가 도핑된,상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법
5	5 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 실리콘(Si) 또는 이산화규소(SiO2)를 포함하는,상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	산업통상자원부	삼성전자(주)	산업융합원천기술개발사업	MLC-PRAM용 상변화 재료 및 고성능 메모리 기술개발

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1650481-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20150121 출원 번호 : 1020150009790 공고 연월일 : 20160823 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20160518 청구범위의 항수 : 5 유별 : G11C 29/08 발명의 명칭 : 상변화 메모리소자의 세트시간 및 데이터 유지시간의 예측방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	120,000 원	2016년 08월 18일	납입
제 4 년분	금 액	75,000 원	2019년 08월 02일	납입
제 5 년분	금 액	77,250 원	2020년 08월 20일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2015.01.21	수리 (Accepted)	1-1-2015-0062765-51
2	출원인정보변경(경정)신고서	2015.03.17	수리 (Accepted)	4-1-2015-5033829-92
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2015-5062924-01
4	선행기술조사의뢰서	2015.08.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
5	선행기술조사보고서	2015.10.08	수리 (Accepted)	9-1-2015-0063536-34
6	등록결정서	2016.05.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0359703-00
7	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.13	수리 (Accepted)	4-1-2019-5093546-10
8	출원인정보변경(경정)신고서	2019.05.23	수리 (Accepted)	4-1-2019-5101798-31
9	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.02	수리 (Accepted)	4-1-2019-5154561-59
10	출원인정보변경(경정)신고서	2020.11.25	수리 (Accepted)	4-1-2020-5265458-48

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