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III-V족 반도체 소자 및 그 제조 방법(III-V semiconductor device and method of manufacturing the same)

  • 기술번호 : KST2016014262
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 III-V족 반도체 소자는, 기판 상에 배치된 반도체층 적층 구조; 상기 반도체층 적층 구조 상에서 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극; 상기 반도체층 적층 구조 상에서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극과 상기 반도체층 적층 구조 사이에 배치되며, 포토레지스트를 포함하는 제1 패시베이션층; 상기 반도체층 적층 구조 및 상기 게이트 전극을 커버하도록 배치되며, 포토레지스트를 포함하는 제2 패시베이션층; 및 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 커버하며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제3 패시베이션층;을 포함한다.
Int. CL H01L 29/778 (2015.03.26)
CPC H01L 29/7783(2013.01) H01L 29/7783(2013.01)
출원번호/일자 1020150010022 (2015.01.21)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0090122 (2016.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170050720;
심사청구여부/일자 Y (2015.01.21)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 왕종 중국 서울특별시 중구
2 김남영 대한민국 경기도 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이여송 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 *** 포스코P&S타워 **층(아이피드림)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2015-0064395-18
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.18 수리 (Accepted) 9-1-2015-0080685-72
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0353352-37
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0695563-49
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0695564-95
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0807038-87
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.12.08 수리 (Accepted) 7-1-2016-0068000-12
11 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1254220-52
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.09 무효 (Invalidation) 1-1-2017-0024013-35
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0022562-32
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.01.09 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2017-0022570-08
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.01.09 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2017-0024014-81
16 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2017.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0008555-87
17 보정요구서
Request for Amendment
2017.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0010053-72
18 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2017.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0024826-20
19 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2017.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0025365-52
20 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0209963-69
21 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2017.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0209962-13
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
23 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-0385541-42
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 배치된 반도체층 적층 구조; 상기 반도체층 적층 구조 상에서 서로 이격되어 배치되는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 반도체층 적층 구조 상에서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 배치되는 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 반도체층 적층 구조 사이에 배치되며, 포토레지스트를 포함하는 제1 패시베이션층; 및 상기 반도체층 적층 구조 및 상기 게이트 전극을 커버하도록 배치되며, 포토레지스트를 포함하는 제2 패시베이션층;을 포함하는 III-V족 반도체 소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 패시베이션층 및 상기 제2 패시베이션층은 SU-8 포토레지스트를 포함하는 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
3 3
제1항에 있어서, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극을 커버하며, SU-8 포토레지스트를 포함하는 제3 패시베이션층을 더 포함하는 III-V족 반도체 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 게이트 전극은, 상기 반도체층 적층 구조와 접촉하며 제1 폭을 갖는 제1 부분, 및 상기 제1 부분 상부에 배치되며, 상기 제1 폭보다 큰 제2 폭을 갖는 제2 부분을 포함하며, 상기 제1 패시베이션층은 상기 게이트 전극의 상기 제1 부분의 측면과 접촉하는 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
5 5
제4항에 있어서,상기 제2 패시베이션층은 상기 게이트 전극의 제2 부분의 상면 및 측면들을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상부 폭이 하부 폭보다 큰 감마 형상을 갖는 감마 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
7 7
제1항에 있어서, 상기 게이트 전극은 상부 폭이 하부 폭보다 큰 T 형상을 갖는 T-형 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
8 8
제1항에 있어서, 상기 소스 전극은 상기 게이트 전극 상부까지 연장하여 상기 소스 전극과 상기 게이트 전극이 오버랩되며, 상기 게이트 전극 및 상기 소스 전극 사이에 상기 제2 패시베이션층이 개재되는(interposed) 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
9 9
제3항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 각각 형성된 소스 패드 및 드레인 패드를 더 포함하며,상기 제3 패시베이션층이 상기 소스 패드 및 상기 드레인 패드를 완전히 커버하는 것을 특징으로 하는 III-V족 반도체 소자
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR102059690 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.