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폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판 위에 형성된 금속 전극층;상기 폴리이미드 기판의 양 표면 중 적어도 하나의 면에 형성되고, 열팽창률이 상기 금속 전극층의 열팽창률보다 작은 물질로 구성되는 열팽창 억제층;상기 폴리이미드 기판 및 상기 열팽창 억제층 사이의 계면 접찹력을 향상시키기 위해 상기 폴리이미드 기판 및 상기 열팽창 억제층 사이에 형성되는 계면 접착층(adhesion layer); 및상기 열팽창 억제층의 손상을 억제하기 위해 상기 열팽창 억제층 상에 형성되는 캡핑층(capping layer)을 포함하고,상기 열팽창 억제층은 티타늄알루미늄질화물(TiAlN), 질화알루미늄(AlN), 질화크롬(CrN) 중 하나의 층 및 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNy), 실리콘탄화물(SiCz) 중 하나의 층이 교대로 반복하여 형성되는, 기판
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제1항에 있어서, 상기 계면 접착층, 상기 열팽창 억제층 및 상기 캡핑층은, 상기 폴리이미드 기판과 상기 금속 전극층 사이에 형성되는, 기판
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제1항에 있어서, 상기 계면 접착층, 상기 열팽창 억제층 및 상기 캡핑층은, 상기 금속 전극층과 반대편의 상기 폴리이미드 기판의 일 면에 형성되는, 기판
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제1항에 있어서, 상기 계면 접착층, 상기 열팽창 억제층 및 상기 캡핑층은, 상기 폴리이미드 기판과 상기 금속 전극층 사이 및 상기 금속 전극층과 반대편의 상기 폴리이미드 기판의 일 면에 모두 형성되는, 기판
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제1항에 있어서, 상기 열팽창 억제층의 열팽창계수는 6 ppm/k 이하인, 기판
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제1항에 있어서, 상기 열팽창 억제층은 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNy), 실리콘탄화물(SiCz), 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함하는, 기판
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7
제1항에 있어서, 상기 계면 접착층은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄질화물(TiN) 중 적어도 하나를 포함하는, 기판
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제7항에 있어서, 상기 계면 접착층은 1 nm 내지 100 nm의 두께를 가지는, 기판
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제1항에 있어서, 상기 캡핑층은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 중 적어도 하나의 금속 또는 폴리이미드 소재를 포함하는, 기판
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10
제9항에 있어서, 상기 캡핑층은 10 nm 내지 200 nm의 두께를 가지는, 기판
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폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판 위에 형성된 금속 전극층;상기 폴리이미드 기판의 양 표면 중 적어도 하나의 면에 형성되고, 열팽창률이 상기 금속 전극층의 열팽창률보다 작은 물질로 구성되고, 나노 다중층으로 형성되는 열팽창 억제층; 및상기 폴리이미드 기판 및 상기 열팽창 억제층 사이의 계면 접찹력을 향상시키기 위해 상기 폴리이미드 기판 및 상기 열팽창 억제층 사이에 형성되는 계면 접착층(adhesion layer)을 포함하고,상기 열팽창 억제층은 티타늄알루미늄질화물(TiAlN), 질화알루미늄(AlN), 질화크롬(CrN) 중 하나의 층 및 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNy), 실리콘탄화물(SiCz) 중 하나의 층이 교대로 반복하여 형성되는, 기판
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제11항에 있어서, 상기 열팽창 억제층은 교대로 반복되는 두 층의 두께의 합이 1 nm 내지 10 nm의 범위를 가지는, 기판
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폴리이미드 기판;상기 폴리이미드 기판 위에 형성된 금속 전극층;상기 폴리이미드 기판의 양 표면 중 적어도 하나의 면에 형성되고, 열팽창률이 상기 금속 전극층의 열팽창률보다 작은 물질로 구성되는 열팽창 억제층;상기 금속 전극층 위에 형성된 셀레늄(Se) 또는 황(S)를 포함하는 광흡수층;상기 광흡수층 상에 형성된 버퍼층, 고저항 윈도우층 중 적어도 하나의 층; 및 상기 적어도 하나의 층 상에 형성된 투명전극을 포함하고,상기 열팽창 억제층은 티타늄알루미늄질화물(TiAlN), 질화알루미늄(AlN), 질화크롬(CrN) 중 하나의 층 및 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNy), 실리콘탄화물(SiCz) 중 하나의 층이 교대로 반복하여 형성되는, 박막 태양전지
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제14항에 있어서, 상기 폴리이미드 기판 및 상기 열팽창 억제층 사이의 계면 접찹력을 향상시키기 위해 상기 폴리이미드 기판 및 상기 열팽창 억제층 사이에 형성되는 계면 접착층(adhesion layer)을 더 포함하는, 박막 태양전지
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16
제15항에 있어서, 상기 열팽창 억제층의 손상을 억제하기 위해 상기 열팽창 억제층 상에 형성되는 캡핑층(capping layer)을 더 포함하는, 박막 태양전지
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제16항에 있어서, 상기 계면 접착층, 상기 열팽창 억제층 및 상기 캡핑층은, 상기 폴리이미드 기판과 상기 금속 전극층 사이에 형성되는, 박막 태양전지
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제16항에 있어서, 상기 계면 접착층, 상기 열팽창 억제층 및 상기 캡핑층은, 상기 금속 전극층과 반대편의 상기 폴리이미드 기판의 일 면에 형성되는, 박막 태양전지
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제16항에 있어서, 상기 계면 접착층, 상기 열팽창 억제층 및 상기 캡핑층은, 상기 폴리이미드 기판과 상기 금속 전극층 사이 및 상기 금속 전극층과 반대편의 상기 폴리이미드 기판의 일 면에 모두 형성되는, 박막 태양전지
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제14항에 있어서, 상기 열팽창 억제층의 열팽창계수는 6 ppm/k 이하인, 박막 태양전지
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제14항에 있어서, 상기 열팽창 억제층은 실리콘산화물(SiOx), 실리콘질화물(SiNy), 실리콘탄화물(SiCz), 텅스텐(W) 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 태양전지
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제15항에 있어서, 상기 계면 접착층은 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 티타늄질화물(TiN) 중 적어도 하나를 포함하는, 박막 태양전지
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제22항에 있어서, 상기 계면 접착층은 1 nm 내지 100 nm의 두께를 가지는, 박막 태양전지
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제16항에 있어서, 상기 캡핑층은 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr) 중 적어도 하나의 금속 또는 폴리이미드 소재를 포함하는, 박막 태양전지
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제24항에 있어서, 상기 캡핑층은 10 nm 내지 200 nm의 두께를 가지는, 박막 태양전지
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제14항 및 제15항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 열팽창 억제층은 나노 다중층으로 형성되는, 박막 태양전지
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제14항에 있어서, 상기 열팽창 억제층은 교대로 반복되는 두 층의 두께의 합이 1 nm 내지 10 nm의 범위를 가지는, 박막 태양전지
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