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미세기공성 고분자 및 이의 제조방법(Microporous polymers and fabrication methods of the same)

  • 기술번호 : KST2016014474
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 미세기공 고분자 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 미세기공 고분자의 제조 방법은, 제1 빌딩블록을 제공하는 단계와, 제2 빌딩블록을 제공하는 단계와, 상기 제1 빌딩블록과 상기 제2 빌딩블록을 반응시켜, 하기 화학식 I의 고분자 물질을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다. [화학식 I]여기서, R은 방향족 고리화합물이다.
Int. CL C08G 61/04 (2006.01)
CPC C08G 61/04(2013.01) C08G 61/04(2013.01) C08G 61/04(2013.01) C08G 61/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150013391 (2015.01.28)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1694854-0000 (2017.01.04)
공개번호/일자 10-2016-0092694 (2016.08.05) 문서열기
공고번호/일자 (20170110) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.28)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장지영 대한민국 서울특별시 강남구
2 임윤빈 대한민국 서울특별시 은평구
3 차민철 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유철현 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길**, *층(역삼동, 청원빌딩)(특허법인비엘티)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교 산학협력단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0093276-52
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.08.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.10.13 수리 (Accepted) 9-1-2015-0066964-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0873423-09
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0087943-46
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0087921-42
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0391721-62
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0738423-19
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0738422-63
12 등록결정서
Decision to grant		 2016.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0943857-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 빌딩블록을 제공하는 단계;제2 빌딩블록을 제공하는 단계; 및상기 제1 빌딩블록과 상기 제2 빌딩블록을 반응시켜, 하기 화학식 I의 고분자 물질을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제1 빌딩블록은 하기 화학식 IV인 미세기공성 고분자의 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 화학식 I의 고분자 물질은 상기 제1 빌딩블록과 제2 빌딩블록을 팔라듐(Pd)과 구리(Cu) 촉매하에서 반응시켜 형성되는 미세기공성 고분자의 제조방법
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 제2 빌딩블록은 하기 화학식 III인 미세기공성 고분자의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 화학식 IV는 2-트리부틸스태닐사이오펜(2-(tributylstannyl)thiophene)과, 1,4-다이브로모벤젠(1,4-dibromobenzene) 또는 1,4-다이브로모-2,5-다이플루오로벤젠(1,4-dibromo-2,5-difluorobenzene)을 Pd 촉매 존재 하에서 반응시켜 형성되는 미세기공성 고분자의 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 화학식 I의 고분자 물질은 90℃ 내지 120℃의 온도분위기에서 형성되는 미세기공성 고분자의 제조방법
8 8
제1 빌딩블록을 제공하는 단계;제2 빌딩블록을 제공하는 단계; 및상기 제1 빌딩블록과 상기 제2 빌딩블록을 반응시켜, 하기 화학식 I의 고분자 물질을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 제1 빌딩블록은 하기 화학식 V인 미세기공성 고분자의 제조방법
9 9
제8 항에 있어서,상기 제1 빌딩블록은 2,5-다이아이오도사이오펜인 미세기공성 고분자의 제조방법
10 10
제8 항에 있어서,상기 화학식 I의 고분자 물질은 18℃ 내지 30℃의 온도분위기에서 형성되는 미세기공성 고분자의 제조방법
11 11
제1 항에 있어서, 상기 화학식 I의 고분자 물질은 외력에 대해 복원력을 갖는 미세기공성 고분자의 제조방법
12 12
제1 항, 제2 항, 제4 항 및 제6 항 내지 제11 항중 어느 한 항에 의해 제조되는 하기 화학식 I의 미세기공성 고분자
13 13
제12 항에 있어서,상기 화학식 I의 물질은 이산화탄소를 흡착하는 미세기공성 고분자
14 14
제12 항에 있어서,상기 화학식 I의 물질은 수소를 저장하는 미세기공성 고분자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 서울대학교 도약연구지원사업(도전) 고효율 분자저장 및 인식능을 갖는 공유결합 구조체의 제조