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기판;상기 기판 상에 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 전류차단층;상기 전류차단층 상에 투광성전극; 및상기 제1도전형 반도체층 상에 제1전극과 상기 투광성전극 상에 제2전극을 포함하고,상기 전류차단층은 복수의 나노파티클들이 형성된 나노파티클층을 포함하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 폭은 200nm 이상 250nm 이하인 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 간격은 100nm 이상 400nm 이하인 발광소자
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제1항에 있어서,상기 전류차단층의 폭과 상기 나노파티클층의 폭은 동일한 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자
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제1항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 형상은 랜덤한 발광소자
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기판;상기 기판 상에 제1도전형 반도체층, 활성층, 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광구조물;상기 발광구조물 상에 전류차단층;상기 전류차단층 상에 투광성전극; 및상기 제1도전형 반도체층 상에 제1전극과 상기 투광성전극 상에 제2전극을 포함하고,상기 투광성전극은 복수의 나노파티클들이 형성된 나노파티클층을 포함하는 발광소자
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제7항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 폭은 200nm 이상 250nm 이하인 발광소자
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제7항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 간격은 100nm 이상 400nm 이하인 발광소자
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제7항에 있어서,상기 전류차단층의 폭과 상기 나노파티클층의 폭은 동일한 발광소자
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제7항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 형상은 원형, 타원형, 다각형 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자
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12
제7항에 있어서,상기 복수의 나노파티클들 각각의 형상은 랜덤한 발광소자
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제1항 내지 제12항 중 어느 한 항의 발광소자를 포함하는 조명 시스템
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폭이 5nm 이상인 금속층을 제2도전형 반도체층 상에 증착하는 단계;상기 금속층을 300℃이상에서 어닐링하여 복수의 나노 파티클들을 형성하는 단계; 및상기 복수의 나노 파티클들 상에 SiO2층을 형성하는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 금속층은 Ag, Au, Pt, Al 중 적어도 하나를 포함하는 발광소자의 제조방법
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