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편광변환기를 포함한 고휘도 극초단 빔 발생 펨토초 레이저 장치(Ultrashort Femtosecond Laser Apparatus For High-Brightness beam Comprising Polarizer)

  • 기술번호 : KST2016014575
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Np축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1 레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드 및 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔이 증폭되어 다시 상기 제 1 레이저 매질에 입사되는 레이저 빔의 경로에 배치된 편광 변환기를 포함하고, 제 1 레이저 매질과 제 2 레이저 매질 각각은, 상기 제 1 레이저 매질의 Np축과 제 2 레이저 매질의 Nm축이 상기 편광 변환기에 의해 변경된 상기 레이저 빔의 편광방향에 평행하도록 배치되는 펨토초 레이저 장치를 제공한다.
Int. CL H01S 3/23 (2006.01.01) H01S 3/16 (2006.01.01) H01S 3/042 (2006.01.01) H01S 3/0941 (2006.01.01) H01S 3/08 (2006.01.01)
CPC H01S 3/2375(2013.01) H01S 3/2375(2013.01) H01S 3/2375(2013.01) H01S 3/2375(2013.01) H01S 3/2375(2013.01) H01S 3/2375(2013.01)
출원번호/일자 1020150014495 (2015.01.29)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0093801 (2016.08.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.11.19)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광훈 대한민국 부산광역시 수영구
2 강욱 대한민국 서울시 강서구
3 양주희 대한민국 서울시 은평구
4 이병학 대한민국 서울특별시 서초구
5 살 엘레나 러시아 경상남도 창원시 성산구
6 세르게이 치조프 러시아 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2015-0101020-15
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2019-1186035-97
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.06.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.08.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0140293-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0658120-00
6 [지정기간연장]기간 연장신청서·기간 단축신청서·기간 경과 구제신청서·절차 계속신청서
 2020.11.16 보정 (Amendment) 1-1-2020-1224628-56
7 보정요구서
Request for Amendment		 2020.11.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2020-0176188-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Np축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1 레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드를 포함하는 펨토초 레이저 장치에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행하도록 배치되고,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔이 증폭되어 다시 상기 제 1 레이저 매질에 입사되는 레이저 빔의 경로에 배치된 편광 변환기를 더 포함하고,상기 제 1 레이저 매질과 제 2 레이저 매질 각각은, 상기 제 1 레이저 매질의 Np축과 제 2 레이저 매질의 Nm축이 상기 편광 변환기에 의해 변경된 상기 레이저 빔의 편광방향에 평행하도록 배치되는 펨토초 레이저 장치
2 2
제 1항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 레이저 다이오드로부터 발생된 제 1 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 1 레이저 결정의 Nm 축에 대해 실질적으로 평행하도록 하고,상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 다이오드로부터 발생된 제 2 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 대해 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
3 3
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 소정의 표면 조도값을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
4 4
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 표면이 열전도성 물질로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
5 5
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 냉각유로, 방열판, 공냉을 위한 수단 중 적어도 어느 하나가 형성된 하우징에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
6 6
제 1항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 매질은 각각 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
7 7
제 6항에 있어서,상기 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 Yb의 도핑 농도는 1 ~ 10 at
8 8
제 1항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 각각 상기 레이저 빔의 진행방향에 대하여 직사각형 단면을 갖는 직사각면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
9 9
공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Np축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1 레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드를 포함하는 펨토초 레이저 장치에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행하도록 배치되고,상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질 사이에 배치된 편광 변환기를 더 포함하고,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1레이저 매질 및 제 2 레이저 매질에서 발생된 레이저 빔의 편광방향이 상기 제 1 레이저 매질의 Np축에 평행하도록 하고, 상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축이 상기 편광 변환기에 의해 변경된 레이저 빔의 편광방향에 평행하도록 배치되는 펨토초 레이저 장치
10 10
제 9항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 레이저 다이오드로부터 발생된 제 1 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 1 레이저 결정의 Nm 축에 대해 실질적으로 평행하도록 하고,상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 다이오드로부터 발생된 제 2 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 대해 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
11 11
제 9항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 소정의 표면 조도값을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
12 12
제 9항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 표면이 열전도성 물질로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
13 13
제 9항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 냉각유로, 방열판, 공냉을 위한 수단 중 적어도 어느 하나가 형성된 하우징에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
14 14
제 9항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 매질은 각각 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
15 15
제 14항에 있어서,상기 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 Yb의 도핑 농도는 1 ~ 10 at
16 16
제 9항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 각각 상기 레이저 빔의 진행방향에 대하여 직사각형 단면을 갖는 직사각면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
17 17
공간적으로 서로 수직방향의 Ng, Np, Nm축을 갖는 제 1 레이저 매질; 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행한 Np축을 갖도록 배치된 제 2 레이저 매질; 및 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질에 각각 인접하여 배치된 제 1 레이저 다이오드 및 제 2 레이저 다이오드를 포함하는 펨토초 레이저 장치에 있어서,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔의 진행방향이 상기 제 1 레이저 매질의 Ng축에 실질적으로 평행하도록 배치되고,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질로부터 발생된 레이저 빔이 증폭되어 다시 상기 제 1 레이저 매질에 입사되는 레이저 빔의 경로에 배치된 제 1편광 변환기와 상기 제 1 레이저 매질 및 상기 제 2 레이저 매질 사이에 배치된 제 2편광 변환기를 더 포함하고,상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 레이저 매질의 Np축이 제 1 편광 변환기에 의해 변경된 레이저 빔의 편광방향에 평행하도록 배치되고상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축이 제 2편광 변환기에 의해 변경된 레이저 빔의 편광방향에 평행하도록 배치되는 펨토초 레이저 장치
18 18
제 17항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질은, 상기 제 1 레이저 다이오드로부터 발생된 제 1 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 1 레이저 결정의 Nm 축에 대해 실질적으로 평행하도록 하고,상기 제 2 레이저 매질은, 상기 제 2 레이저 다이오드로부터 발생된 제 2 펌핑 광의 편광방향이 상기 제 2 레이저 매질의 Nm축에 대해 실질적으로 평행하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
19 19
제 17항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 소정의 표면 조도값을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
20 20
제 17항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 표면이 열전도성 물질로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
21 21
제 17항에 있어서, 상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 냉각유로, 방열판, 공냉을 위한 수단 중 적어도 어느 하나가 형성된 하우징에 의해 둘러싸인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
22 22
제 17항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 레이저 매질은 각각 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
23 23
제 22항에 있어서,상기 Yb:KYW, Yb:KGW, Yb:KLuW, Yb:YCOB, Yb:YAP 중 Yb의 도핑 농도는 1 ~ 10 at
24 24
제 17항에 있어서,상기 제 1 레이저 매질 및 제 2 레이저 매질은 각각 상기 레이저 빔의 진행방향에 대하여 직사각형 단면을 갖는 직사각면체 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 펨토초 레이저 장치
지정국 정보가 없습니다
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1 서울시 한국전기연구원 Russia Science Seoul 유치 지원사업 (5차년도 총괄) Russia Science Seoul 유치 지원사업 (5차년도 총괄)