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이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이온 전지(Anodic tungsten oxide mesosponge carbon layer as an anode for Li ion battery)

  • 기술번호 : KST2016014576
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법 및 이를 포함하는 리튬 이온 전지에 있어서, 텅스텐(W)의 표면을 산화시켜 비결정질 산화텅스텐층을 형성하는 단계와; 상기 비결정질 산화텅스텐층을 아세틸렌(Acetylene)을 포함하는 가스 분위기 하에서 가열하여 탄소코팅 결정질 산화텅스텐층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 높은 이론용량을 가진 텅스텐을 산화시키고 이를 탄소코팅한 메조스펀지(Mesosponge) 구조를 가진 탄소코팅 결정질 산화텅스텐층을 형성하여, 리튬 이온의 삽입 및 탈리가 용이하며 이에 의해 큰 충방전 용량을 갖는 리튬 이온 전지를 구성하는 효과를 얻을 수 있다. 또한 제조 공정이 간단하며 제조 비용이 절감되는 효과를 얻을 수 있다.
Int. CL H01M 10/0525 (2010.01) H01M 10/056 (2010.01) H01M 4/525 (2010.01) H01M 4/131 (2010.01) H01M 4/58 (2015.01)
CPC H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01) H01M 4/366(2013.01)
출원번호/일자 1020150016961 (2015.02.03)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0095549 (2016.08.11) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.01.03)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김두헌 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 도칠훈 대한민국 경상남도 창원시 의창구
3 이유진 대한민국 경상남도 창원시 진해구
4 최정희 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인부경 대한민국 부산광역시 연제구 법원남로**번길 **, *층 (거제동, 대한타워)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0117198-41
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2020.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2020-0004664-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.06.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
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번호 청구항
1 1
이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법에 있어서,텅스텐(W)의 표면을 산화시켜 비결정질 산화텅스텐층을 형성하는 단계와;상기 비결정질 산화텅스텐층을 아세틸렌(Acetylene)을 포함하는 가스 분위기 하에서 가열하여 탄소코팅 결정질 산화텅스텐층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 탄소코팅 결정질 산화텅스텐층은 균일한 기공을 갖는 메조스펀지(Mesosponge) 형태의 탄소코팅이 형성되도록 100 내지 1000℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 기공은 직경이 10 내지 100nm인 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 아세틸렌을 포함하는 가스는,상기 아세틸렌 100중량부 대비 아르곤이 50 내지 2000중량부 포함된 가스인 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 비결정질 산화텅스텐층을 형성하는 단계는,상기 텅스텐을 케톤 계열 및 알코올 계열의 용매 하에서 각각 초음파 처리하여 세척하는 단계와;초음파 처리된 상기 텅스텐에 전기를 인가하여 양극 산화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 양극 산화하는 단계는,상기 텅스텐을 양극으로 하고 백금망(Platinum mesh)을 음극으로 하여 전해액 하에서 전기를 인가하여 상기 텅스텐을 산화시키는 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 전해액은,무수 글리세롤(Glycerol anhydrous) 100중량부 대비 인산칼륨(K2PO4)이 5 내지 20중량부 혼합된 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
8 8
제 1항에 있어서,비결정질 산화텅스텐층을 형성하는 단계 이후에,상기 비결정질 산화텅스텐층을 알코올 계열의 용매에 10 내지 20시간 동안 세척 및 건조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이차전지의 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐의 제조방법
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음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐을 포함하는 리튬 이온 전지에 있어서,표면이 탄소코팅된 결정질 산화텅스텐층을 포함하는 텅스텐 음극과;상기 텅스텐 음극으로 리튬 이온을 전달하는 양극과;상기 음극 및 상기 양극이 담긴 전해액으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐을 포함하는 리튬 이온 전지
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제 9항에 있어서,상기 양극은,리튬-산화 코발트(LiCoO2), 리튬-산화니켈(LiNiO2), 리튬-철-인(LiFePO4) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐을 포함하는 리튬 이온 전지
11 11
제 9항에 있어서,상기 전해액은 리튬클로라이드(Lithium chloride, LiCl), 리튬브로마이드(Lithinum bromide, LiBr), 리튬 헥사플루오로포스페이트(Lithinum hexafluorophosphate, LiPF6), 리튬 테트라플루오로보레이트(Lithinum tetrafluoroborate, LiBF4), 리튬 헥사플루오로아르세네이트(Lithinum hexafluoroarsenate, LiAsF6), 리튬 퍼틀로레이트(Lithinum perchlorate, LiClO4), 리튬 테트라클로로알루미네이트(Lithinum tetrachloroaluminate, LiAlCl4) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 음극용 탄소코팅 결정질 산화텅스텐을 포함하는 리튬 이온 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.