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언와인더(unwinder), 냉각 드럼 및 리와인더(rewinder)를 통과하도록 투명 유연 기판을 제공하는 단계;상기 냉각 드럼과 상기 투명 유연 기판이 접하는 증착 영역에 인접하도록, 인듐(In) 산화물, 아연(Zn) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물을 포함하는 타겟(target)을 제공하는 단계;상기 증착 영역에 진공을 형성하는 단계; 및상기 타겟에 DC 전원 또는 RF 전원을 인가하고 롤-투-롤(roll-to-roll) 방식으로 상기 투명 유연 기판을 이동하면서 상기 타겟을 스퍼터링하여, 상기 투명 유연 기판 상에 비정질 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 인듐 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 50 내지 98 중량%로 포함되고, 상기 아연 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되며, 상기 알루미늄 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되는 비정질 투명 전극 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 언와인더, 상기 냉각 드럼 및 상기 리와인더는 챔버 내에 배치되며, 상기 챔버 내부를 상기 진공으로 만들어서 상기 증착 영역을 상기 진공으로 만드는 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 타겟에 700 W의 상기 DC 전원을 인가하여 상기 비정질 투명 전극이 형성된 경우에, 550 nm의 파장에 대한 상기 비정질 투명 전극 소자의 투과율은 89 % 이상인 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 비정질 투명 전극이 형성된 상기 투명 유연 기판의 제1 면에서 상기 제1 면에 대향하는 상기 투명 유연 기판의 제2 면으로 제1 힘이 가해져 상기 비정질 투명 전극 소자가 구부러지는 경우에, 상기 비정질 투명 전극 소자의 곡률 반경이 3 mm에 도달할 때까지 상기 비정질 투명 전극의 저항이 일정하게 유지되고,상기 투명 유연 기판의 제2 면에서 상기 투명 유연 기판의 제1 면으로 제2 힘이 가해져 상기 비정질 투명 전극 소자가 구부러지는 경우에, 상기 비정질 투명 전극 소자의 곡률 반경이 7 mm에 도달할 때까지 상기 비정질 투명 전극의 저항이 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 인듐 산화물은 갈륨(Ga) 산화물로 대체 가능하고,상기 아연 산화물은 실리콘(Si) 산화물로 대체 가능하며,상기 알루미늄 산화물은 지르코늄(Zr) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 탄탈륨(Ta) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 니오븀(Nb) 산화물, 게르마늄(Ge) 산화물 또는 몰리브덴(Mo) 산화물로 대체 가능한 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자의 제조 방법
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투명 유연 기판; 및상기 투명 유연 기판의 제1 면 상에 형성되는 비정질 투명 전극을 포함하고,인듐(In) 산화물, 아연(Zn) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물을 포함하는 타겟(target)에 DC 전원 또는 RF 전원을 인가하고 롤-투-롤(roll-to-roll) 방식으로 상기 투명 유연 기판을 이동하면서 상기 타겟을 스퍼터링하여 상기 비정질 투명 전극이 형성되며,상기 인듐 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 50 내지 98 중량%로 포함되고, 상기 아연 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되며, 상기 알루미늄 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되는 비정질 투명 전극 소자
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제 6 항에 있어서,상기 타겟에 700 W의 상기 DC 전원을 인가하여 상기 비정질 투명 전극이 형성된 경우에, 550 nm의 파장에 대한 상기 비정질 투명 전극 소자의 투과율은 89 % 이상인 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자
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제 6 항에 있어서,상기 투명 유연 기판의 제1 면에서 상기 제1 면에 대향하는 상기 투명 유연 기판의 제2 면으로 제1 힘이 가해져 상기 비정질 투명 전극 소자가 구부러지는 경우에, 상기 비정질 투명 전극 소자의 곡률 반경이 3 mm에 도달할 때까지 상기 비정질 투명 전극의 저항이 일정하게 유지되고,상기 투명 유연 기판의 제2 면에서 상기 투명 유연 기판의 제1 면으로 제2 힘이 가해져 상기 비정질 투명 전극 소자가 구부러지는 경우에, 상기 비정질 투명 전극 소자의 곡률 반경이 7 mm에 도달할 때까지 상기 비정질 투명 전극의 저항이 일정하게 유지되는 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자
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제 6 항에 있어서,상기 인듐 산화물은 갈륨(Ga) 산화물로 대체 가능하고,상기 아연 산화물은 실리콘(Si) 산화물로 대체 가능하며,상기 알루미늄 산화물은 지르코늄(Zr) 산화물, 하프늄(Hf) 산화물, 탄탈륨(Ta) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 니오븀(Nb) 산화물, 게르마늄(Ge) 산화물 또는 몰리브덴(Mo) 산화물로 대체 가능한 것을 특징으로 하는 비정질 투명 전극 소자
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투명 유연 기판 상에 비정질 투명 애노드 전극을 형성하는 단계;상기 비정질 투명 애노드 전극 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 캐소드 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 비정질 투명 애노드 전극을 형성하는 단계는,언와인더(unwinder), 냉각 드럼 및 리와인더(rewinder)를 통과하도록 상기 투명 유연 기판을 제공하는 단계;상기 냉각 드럼과 상기 투명 유연 기판이 접하는 증착 영역에 인접하도록, 인듐(In) 산화물, 아연(Zn) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물을 포함하는 타겟(target)을 제공하는 단계;상기 증착 영역에 진공을 형성하는 단계; 및상기 타겟에 DC 전원 또는 RF 전원을 인가하고 롤-투-롤(roll-to-roll) 방식으로 상기 투명 유연 기판을 이동하면서 상기 타겟을 스퍼터링하여, 상기 비정질 투명 애노드 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 인듐 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 50 내지 98 중량%로 포함되고, 상기 아연 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되며, 상기 알루미늄 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되는 유기 태양 전지의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 비정질 투명 애노드 전극과 상기 활성층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지의 제조 방법
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투명 유연 기판;상기 투명 유연 기판 상에 형성되는 비정질 투명 애노드 전극;상기 비정질 투명 전극 상에 형성되는 활성층; 및상기 활성층 상에 형성되는 캐소드 전극을 포함하고,인듐(In) 산화물, 아연(Zn) 산화물 및 알루미늄(Al) 산화물을 포함하는 타겟(target)에 DC 전원 또는 RF 전원을 인가하고 롤-투-롤(roll-to-roll) 방식으로 상기 투명 유연 기판을 이동하면서 상기 타겟을 스퍼터링하여 상기 비정질 투명 전극이 형성되며,상기 인듐 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 50 내지 98 중량%로 포함되고, 상기 아연 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되며, 상기 알루미늄 산화물은 상기 타겟의 전체 중량에 대하여 1 내지 25 중량%로 포함되는 유기 태양 전지
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제 12 항에 있어서,상기 비정질 투명 애노드 전극과 상기 활성층 사이에 형성되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 태양 전지
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