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압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법(METHOD FOR MANUFACTURING WAVELENGTH TUNEABLE LIGHT EMITTING DIODE USING PIEZO-ELECTRIC SUBSTRATE)

  • 기술번호 : KST2016014592
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 성장기판 상에 형성된 발광다이오드를 준비하는 단계; 상기 발광다이오드를 압전기판에 접합하는 단계; 및 상기 압전기판에 전압을 인가하여 상기 발광다이오드의 활성층 내부에 전계 변화를 유도하는 단계를 포함하는, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따르면, 압전기판을 이용하여 발광다이오드의 활성층 내부의 스트레인을 조절함으로써 파장을 변화시킬 수 있으므로 파장의 미세조절이 필요한 산업용, 의료용 광학 장비 등에 적용할 수 있고, 이를 통해 측정이나 분석, 치료에 있어서 유용한 효과를 가져올 수 있다.
Int. CL H05B 41/282 (2006.01) H01L 33/50 (2010.01) H01L 41/187 (2006.01) H01L 41/04 (2006.01) H05B 39/08 (2006.01) H01L 21/033 (2006.01)
CPC H05B 41/2822(2013.01) H05B 41/2822(2013.01) H05B 41/2822(2013.01) H05B 41/2822(2013.01) H05B 41/2822(2013.01) H05B 41/2822(2013.01)
출원번호/일자 1020150012011 (2015.01.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0091650 (2016.08.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.26)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성주 대한민국 광주광역시 북구
2 김상조 대한민국 광주광역시 북구
3 천재이 대한민국 광주광역시 북구
4 정세희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-0079925-57
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2015-0357750-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0080000-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0011188-13
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0161440-18
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0161447-26
8 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0457345-23
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.08.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0820176-83
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0820158-61
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.12.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0934347-25
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2017.01.31 수리 (Accepted) 7-1-2017-0003975-80
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
성장기판 상에 형성된 발광다이오드를 준비하는 단계;상기 발광다이오드를 압전기판에 접합하는 단계; 및상기 압전기판에 전압을 인가하여 상기 발광다이오드의 활성층 내부에 전계 변화를 유도하는 단계를 포함하는, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하는 단계를 추가로 포함하며,상기 성장기판을 분리하는 단계는 상기 발광다이오드를 압전기판에 접합하기 이전 또는 접합한 이후에 수행하는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 발광다이오드를 압전기판에 접합하기 이전에 수행되는 성장기판 분리는,지지기판을 상기 발광다이오드에 접착시킨 후 상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하여 수행되는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 발광다이오드를 압전기판에 접합한 이후에 수행되는 성장기판 분리는,상기 발광다이오드가 상기 압전기판에 접합한 이후에 레이저 리프트오프 공정에 의하여 상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하여 수행되는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
5 5
제 3항에 있어서,상기 지지기판을 상기 발광다이오드에 접착시키는 것은 상기 발광다이오드의 상부에 접착물질층을 형성하여 수행하는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 성장기판은 사파이어, 실리콘 탄화물, 아연 산화물, 갈륨 질화물, 알루미늄 질화물, 지르코늄 이붕소화물, 갈륨 비소 및 실리콘으로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 발광다이오드는 수평형 발광다이오드, 수직형 발광다이오드, 플립칩 구조 발광다이오드 및 무기 발광다이오드로 이루어지는 군에서 선택되는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
8 8
제 2항에 있어서,상기 발광다이오드로부터 상기 성장기판을 분리하는 단계는 레이저 리프트 오프(Laser Lift-Off; LLO), 화학적 리프트 오프(Chemical Lift-Off; CLO), 화학적 식각, 기계적 연마 또는 화학적 기계적 연마 공정에 의하는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 분리된 발광다이오드를 압전기판에 접합하는 것은 용융 접합(fusion bonding), 양극 접합(anodic bonding) 또는 공융 접합(eutectic bonding)에 의하여 수행되는 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
10 10
제 1항에 있어서,상기 압전기판의 재료는 수정, 로셀염, 티탄산바륨(BaTiO3) 또는 인공세라믹(PZT, PbTiO3-PbZrO3)인 것인, 압전기판을 이용한 가변 파장 발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 기술혁신사업 LED 융합 의료용 파장가변 광원 개발 및 유효성 검증