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금속 원자를 기준으로 인듐 원자의 함유율이 40 at%, 주석 원자의 함유율이 25 내지 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 내지 35 at%이고,상기 주석 원자의 함유율과 아연 원자의 함유율이 서로 상이한 인듐 아연 주석 산화물
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제 1항에 있어서,상기 주석 원자의 함유율이 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 at%인 것을 특징으로 하는 인듐 아연 주석 산화물
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(A) 전체 금속 원자에 대해서, 인듐 원자의 함유율이 40 at%, 주석 원자의 함유율이 25 내지 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 내지 35 at%이고, 상기 주석 원자의 함유율과 아연 원자의 함유율이 서로 상이한 스퍼터링 타겟을 준비하는 단계;(B) 상기 스퍼터링 타켓을 RF 마그네트론 스퍼터링 또는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 유리 기판 상에 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 단계; 및(C) 상기 증착된 아연 주석 산화물에 대해 열처리하는 단계;를 포함하는 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 (B) 단계에 있어,증착 온도는 200 내지 500 ℃,증착 압력은 3 내지 20 mTorr, 증착시간은 5 내지 30 분이며,RF 파워가 50 내지 150 W 인 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 것을 특징으로 하는 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 (C) 단계는,아르곤 분위기에서,열처리 온도는 300 내지 500 ℃,열처리 시간은 10 내지 30 분이 적용되어 열처리하는 것을 특징으로 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법
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유리 기판;상기 유리 기판 상에 증착된 인듐 아연 주석 산화물 층;상기 인듐 아연 주석 산화물 층 상에 코팅된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 전극;을 포함하고,상기 인듐 아연 주석 산화물은,금속 원자를 기준으로 인듐 원자의 함유율이 40 at%, 주석 원자의 함유율이 25 내지 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 내지 35 at%이고,상기 주석 원자의 함유율과 아연 원자의 함유율이 서로 상이한 태양 전지
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제 6항에 있어서,상기 인듐 아연 주석 산화물 층은,전체 금속 원자에 대해서, 인듐 원자의 함유율이 40 at%, 주석 원자의 함유율이 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 at%인 것을 특징으로 하는 인듐 아연 주석 산화물
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(A) 유리 기판 상에 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 단계;(B) 상기 인듐 아연 주석 산화물 상에 활성층을 코팅하는 단계; 및(C) 상기 활성층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 아연 주석 산화물은,금속 원자를 기준으로 인듐 원자의 함유율이 40 at%, 주석 원자의 함유율이 25 내지 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 내지 35 at%이고, 상기 주석 원자의 함유율과 아연 원자의 함유율이 서로 상이한 태양 전지의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 (A) 단계는,(A-1) 전체 금속 원자에 대해서, 인듐 원자의 함유율이 40 at%, 주석 원자의 함유율이 25 내지 35 at%, 및 아연 원자의 함유율이 25 내지 35 at%이고, 상기 주석 원자의 함유율과 아연 원자의 함유율이 서로 상이한 스퍼터링 타겟을 준비하는 단계;(A-2) 상기 스퍼터링 타켓을 RF 마그네트론 스퍼터링 또는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 유리 기판 상에 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 단계; 및(A-3) 상기 증착된 아연 주석 산화물에 대해 열처리하는 단계;를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 (A-2) 단계에 있어,증착 온도는 200 내지 500 ℃,증착 압력은 3 내지 20 mTorr, 증착시간은 5 내지 30 분이며,RF 파워가 50 내지 150 W 인 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 인듐 아연 주석 산화물을 증착하고,상기 (A-3) 단계는,아르곤 분위기에서,열처리 온도는 300 내지 500 ℃,열처리 시간은 10 내지 30 분이 적용되어 열처리하는 것을 특징으로 태양 전지의 제조 방법
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