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(A) 전체 금속 원자에 대하여 인듐 원자의 함유율이 30 내지 60 at%, 주석 원자 및 아연 원자의 함유율이 각각 20 내지 35 at%이고, 상기 주석 원자 및 아연 원자의 함유율이 동일한 스퍼터링 타겟을 준비하는 단계;(B) 상기 스퍼터링 타겟을 RF 마그네트론 스퍼터링 또는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 유리 기판 상에 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 단계; 및(C) 상기 증착된 아연 주석 산화물에 대해 아르곤 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (B) 단계에 있어,증착 온도는 200 ~ 500 ℃,증착 압력은 3 ~ 20 mTorr, 증착시간은 5 ~ 30 분이며,RF 파워가 50 ~ 150 W 인 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 것을 특징으로 하는 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법
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제 1항에 있어서,상기 (B) 단계에 있어,증착 온도는 200 ~ 500 ℃,증착 압력은 1 ~ 5 mTorr, 증착시간은 5 ~ 30 분이며,DC 파워가 40 ~ 60 W 인 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 것을 특징으로 하는 인듐 아연 주석 산화물 제조 방법
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(A) 유리 기판 상에 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 단계;(B) 상기 인듐 아연 주석 산화물 상에 활성층을 코팅하는 단계; 및(C) 상기 활성층 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 인듐 아연 주석 산화물은,전체 금속 원자에 대하여 인듐 원자의 함유율이 30 내지 60 at%, 주석 원자 및 아연 원자의 함유율이 각각 20 내지 35 at%이고, 상기 주석 원자 및 아연 원자의 함유율이 동일한 태양 전지의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 (A) 단계는,(A-1) 전체 금속 원자에 대하여 인듐 원자의 함유율이 30 내지 60 at%, 주석 원자량 및 아연원자의 함유율이 각각 20 내지 35 at%이고, 상기 주석 원자 및 아연 원자의 함유율이 동일한 스퍼터링 타겟을 준비하는 단계;(A-2) 상기 스퍼터링 타겟을 RF 마그네트론 스퍼터링 또는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 유리 기판 상에 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 단계; 및(A-3) 상기 증착된 아연 주석 산화물에 대해 아르곤 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 5항에 있어서,상기 (A-2) 단계에 있어,증착 온도는 200 ~ 500 ℃, 증착 압력은 3 ~ 20 mTorr, 증착시간은 5 ~ 30 분이며, RF 파워가 50 ~ 150 W 인 RF 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하거나, 증착 온도는 200 ~ 500 ℃, 증착 압력은 1 ~ 5 mTorr, 증착시간은 5 ~ 30 분이며, DC 파워가 40 ~ 60 W 인 DC 마그네트론 스퍼터링 방법을 이용하여 인듐 아연 주석 산화물을 증착하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 4항에 있어서,상기 활성층은 PEDOT:PSS, P3HT, PCDTBT, PCTDTBT, MEH-PPV, PTB7, PBDTTT-CF, PFN, PCBM, 및 ICBA 중 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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제 7항에 있어서,상기 (B) 단계는,스핀 코팅 방법을 이용하여 활성층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조 방법
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유리 기판;상기 유리 기판 상에 증착된 인듐 아연 주석 산화물 층;상기 인듐 아연 주석 산화물 층 상에 코팅된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 전극;을 포함하고,상기 인듐 아연 주석 산화물은,전체 금속 원자에 대해서 인듐 원자의 함유율이 30 내지 60 at%, 주석 원자량 및 아연원자의 함유율이 각각 20 내지 35 at%이고,상기 주석 원자 및 아연 원자의 함유율이 동일한 태양 전지
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제 9항에 있어서,상기 활성층은 PEDOT:PSS, P3HT, PCDTBT, PCTDTBT, MEH-PPV, PTB7, PBDTTT-CF, PFN, PCBM, 및 ICBA 중 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양 전지
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