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양자점 비드센서 및 그의 제조방법(QUANTUM DOT BEAD SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THREOF)

  • 기술번호 : KST2016014785
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에서는 무기 또는 유기입자 지지체; 상기 지지체의 표면에 결합된 적어도 하나 이상의 양자점 나노입자; 및 상기 양자점 나노입자의 표면에 결합된 받게 형광체;를 포함하는 분자진단을 위한 광증폭 양자점 비드 센서를 제공한다. 본 발명에 따르는 양자점 비드 센서는 FRET를 위한 거리조절이 가능하고, 종래의 단일 양자점에 의한 경우보다 발광효율이 10-100이상 높으며, 진단키트에 적합하도록 사이즈 조절이 가능하고, 나아가 광탈색을 최소화하여 안정하다.
Int. CL G01N 21/64 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) G01N 33/52 (2006.01)
CPC G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01) G01N 21/6428(2013.01)
출원번호/일자 1020150016597 (2015.02.03)
출원인 한국세라믹기술원, 주식회사 제우스
등록번호/일자 10-1674412-0000 (2016.11.03)
공개번호/일자 10-2016-0095387 (2016.08.11) 문서열기
공고번호/일자 (20161122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.03)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 주식회사 제우스 대한민국 경기도 화성

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구은회 대한민국 대전광역시 유성구
2 정흥수 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 양난희 대한민국 서울특별시 영등포구
4 고정우 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인세원 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국세라믹기술원 대한민국 경상남도 진주시 소호로 ***
2 주식회사 제우스 대한민국 경기도 화성
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.03 수리 (Accepted) 1-1-2015-0114601-36
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.03.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5040685-78
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0005347-69
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0031893-52
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0231827-48
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0354514-69
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0444781-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0444776-47
10 등록결정서
Decision to grant
2016.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0647580-03
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.06.04 수리 (Accepted) 4-1-2018-5103361-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
무기 또는 유기 지지체 입자,상기 지지체 입자의 표면이 반응성 작용기로 개질되어 상기 표면 개질된 지지체 입자의 반응성 작용기와 양자점 나노입자가 결합되어, 지지체 입자를 코어로 하여 복수의 양자점 나노입자가 둘러싸는 형태로 고정되고, 상기 양자점 나노입자의 표면에 결합된 받게 형광체를 포함하는 분자진단을 위한 광증폭 양자점 비드 센서
2 2
제1항에 있어서, 지지체의 입자 평균직경은 100nm 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 양자점 비드 센서
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서, 상기 반응성 작용기는 한쪽에 포스핀 계열, 아민 계열 및 티올 계열의 작용기로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 작용기를 포함하고, 다른 한쪽에는 실란기, 아미노기, 술폰기, 카르복실기 및 히드록시기로 구성된 군으로부터 선택되는 어느 하나의 친수성 치환기를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 비드 센서
8 8
제1항에 있어서, 상기 반응성 작용기는 머캅토메틸메틸디에톡시실란(mercaptomethylmethylethoxysilane), 3-머캅토프로필메틸디메톡시실란(3-mercaptopropylmethyldimethoxysilane), 3-머캅토프로필트리에톡시실란(3-mercaptopropyltriethoxysilane), 3-머캅토프로필트리메톡시실란(3-mercaptopropyltrimethoxysilane), 2-디페닐포스피노에틸트리에톡시실란(2-diphenylphosphinoethyltriethoxysilane), 디페닐포스피노에틸디메틸에톡시실란(diphenylphosphinoethyldimethylethoxysilane), 3-아미노프로필메틸디에톡시실란(3-aminopropylmethyldiethoxysilane), 3-아미노프로필디메틸에톡시실란(3-aminopropyldimethylethoxysilane), 3-아미노프로필트리에톡시실란(3-aminopropyltriethoxysilane), 3-아미노프로필트리메톡시실란(3-aminopropyltrimethoxysilane), 4-아미노부틸트리메톡시실란(3-aminobutyltrimethoxysilane), 3-(메타-아미노페녹시)프로필트리메톡시실란(3-(m-aminophenoxy)propyltrimethoxysilane) 및 n-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란(n-(2-aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane)로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 비드 센서
9 9
제1항에 있어서, 상기 양자점 나노입자의 표면은 티올 또는 아민 치환체를 갖는 C1~C15의 카르복시산인 수용성 리간드로 개질된 것임을 특징으로 하는 양자점 비드 센서
10 10
제9항에 있어서, 상기 양자점 나노입자 개질용 화합물은 3-머캅토프로판산(3-mercaptopropionic acid), 6-머캅토헥산산(6-mercaptohexanoic acid), 11-머캅토운데칸산(11-mercaptoundecanoic acid), L-시스테인(L-cysteine), 리포산(liopic acid)로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 비드 센서
11 11
제1항에 있어서, 상기 받게 형광체는 플루오레세인(fluorescein), 로다민(rhodamine), 시아닌(cyanine) 계열의 염료 및 텍사스 레드(texas red)로 구성된 군으로부터 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 양자점 비드 센서
12 12
실리카 입자 지지체 합성 단계(S-10);상기 합성된 지지체와, 한쪽에 포스핀 계열, 아민 계열, 또는 티올 계열의 작용기를 포함하고, 다른 한쪽에 친수성 치환기를 포함하는 반응성 작용기를 반응시키는 표면개질 단계(S-20); 상기 표면개질된 실리카 입자의 반응성 작용기와 양자점 나노입자를 반응시켜 양자점 비드를 형성하는 양자점 결합 단계(S-30);상기 양자점 비드의 양자점 표면을 티올 또는 아민 치환체를 갖는 C1~C15의 카르복시산인 수용성 리간드로 표면개질하는 단계(S-40); 및상기 표면개질된 양자점 비드와 받게 형광체를 반응시키는 받게 형광체 결합 단계(S-50);를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 비드 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국세라믹기술원 핵심소재원천기술개발사업 펨토몰 수준의 암유전자 진단을 위한 PNA-나노하이브리드융합소재 및 분자진단시스템 개발