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에어로졸 증착(aerosol deposition)으로 기판의 일면 상에 BaTiO3층을 성막하는 단계;상기 BaTiO3층의 표면 중 적어도 일부 상에 에칭 마스크(etching mask)를 형성하여 대상물을 형성하는 단계;SF6가스와 O2가스를 혼합한 에칭 가스(etching gas)의 플라즈마(plasma)를 상기 대상물의 일면 측에 형성하여 상기 BaTiO3층을 에칭하는 단계;를 포함하고,에칭된 상기 BaTiO3층은 표면 거칠기에 대한 제곱평균제곱근(RMS)이 18nm이상 20nm이하인 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 BaTiO3층은, 300nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 마스크는 전자빔 증착(e-beam evaporation)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 마스크는, 티타늄(Ti) 및 크롬(Cr)을 포함하는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제6항에 있어서,상기 에칭 마스크는,상기 BaTiO3층 상에 형성되는 티타늄층, 및 상기 티타늄층 상에 형성되는 크롬층을 포함하는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 티타늄층은 10nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 크롬층은 790nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 에칭 가스에서,상기 SF6가스와 상기 O2가스의 유량(sccm)비는 50:5인 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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제2항, 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 BaTiO3층을 에칭하는 단계는,7
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제11항에 있어서,상기 BaTiO3층을 에칭하는 단계는,293K의 온도에서 진행되는 것을 특징으로 하는 티탄산 바륨 박막의 제조 방법
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