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기판 상부에 탄소전극 패턴을 드로잉하는 단계(단계 1); 및상기 단계 1에서 드로잉된 탄소전극 패턴에 방사선을 조사하여 탄소전극 패턴을 기판으로 고정화시키는 단계(단계 2);를 포함하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 기판은 유리 기판 또는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (polyethylene terephthalate, PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트 (polyethylene naphthalate, PEN) 및 투영기 필름 (over head projector, OHP)을 포함하는 군으로부터 선택되는 기판 또는 유연성이 있는 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 탄소전극 패턴은 연필심, 샤프심, 카본 블랙, 그래핀 및 탄소나노튜브로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 탄소재료를 드로잉하여 형성되는 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 연필심 또는 샤프심은 H 내지 9H, 2H, F 또는 B 및 2B 내지 6B의 경도를 갖는 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 1의 드로잉한 탄소전극의 패턴은 격자 (grid), 그물망 (mesh) 및 벌집(honey comb)을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종의 패턴인 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 1의 드로잉은 탄소전극의 패턴을 따라 연필심 또는 샤프심을 이용하여 수작업으로 드로잉하는 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 2의 방사선은 X-선, 알파 (α)선, 베타 (β)선, 감마 (γ)선, 전자선(E-Beam) 및 자외선(UV)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 방사선인 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 2의 방사선은 전자선(E-Beam)인 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 방사선의 조사량은 20 내지 300 kGy인 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 단계 2의 방사선의 조사량은 250 내지 300 kGy인 것을 특징으로 하는 탄소전극의 제조방법
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제 1항의 제조방법으로 제조되어 기판 상부에 드로잉된 탄소전극 패턴이 고정화된 것을 특징으로 하는 탄소전극
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