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나노 임프린트 몰드 제조방법에 있어서, 금속을 이용한 화학 에칭(metal-assisted chemical etching)을 통해 기판 상에 기둥홈 형태의 나노 패턴을 형성하는 단계; 상기 기판에 형성되어 있는 기둥홈 형태의 나노 패턴을 나노 임프린팅 방식으로 나노 임프린트 몰드에 전사하여 상기 나노 임프린트 몰드에 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴에 반전된 기둥 형태의 나노 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 기둥 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 몰드를 상기 기판으로부터 분리하는 단계;를 포함하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속을 이용한 화학 에칭은, 상기 기판의 일면에 포토레지스트 층을 형성하는 단계; 상기 포토레지스트 층에 레이져 간섭 리소그래피 방법을 통해 나노 식각용 패턴을 형성하는 단계; 상기 나노 식각용 패턴이 형성된 포토레지스트 층에 금속층을 증착하는 단계; 및 상기 금속층이 증착된 기판을 식각 용액에 침지하여 식각하여 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 레이져 간섭 리소그래피 방법에서, 상기 레이져의 입사각은 5° 내지 45° 인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 레이져 간섭 리소그래피 방법으로 형성된 나노 식각용 패턴의 주기는 250nm 내지 1um 인 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 금속층은 Au, Pt, Pd, Ag 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 금속층은 전자선 증착법, 열증착법, 스퍼터 증착법 중 적어도 하나 이상의 방법을 사용하는 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제2항에 있어서, 상기 식각 용액은 증류수, 불산, 과산화수소의 혼합용액으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노 임프린트 몰드 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 불산의 농도는 3몰 내지 5몰이고, 상기 과산화수소의 농도는 0
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발광다이오드 제조방법에 있어서, 임시기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 p형 반사전극을 형성하는 단계; 상기 p형 반사전극 상에 전도성 기판을 형성하는 단계; 상기 임시기판을 제거하여 상기 n형 질화물 반도체층을 노출시키는 단계; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계; 기둥 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 기둥 형태의 나노 패턴에 반전된 기둥홈 형태의 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계; 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계; 및 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 n형 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 나노 임프린트 몰드는 제1항의 나노 임프린트 몰드 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 n형 질화물 반도체층과 상기 나노 임프린트 레지스트층 사이에 상기 n형 질화물 반도체층의 굴절률보다 작고 상기 나노 임프린트 레지스트층의 굴절률보다 큰 굴절률을 갖는 굴절률 조절층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 굴절률 조절층은 상기 발광층으로부터의 광을 서로 다른 굴절률로 굴절시키는 제1굴절률 조절층과 제2굴절률 조절층을 순차적으로 적층하여 형성하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제12항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 상기 n형 질화물 반도체층 상에 형성되고 상기 제1굴절률 조절층의 굴절률은 상기 n형 질화물 반도체층의 굴절률보다 작고, 상기 제2굴절률 조절층은 상기 제1굴절률 조절층 상에 형성되고 상기 제2굴절률 조절층의 굴절률은 상기 제1굴절률 조절층의 굴절률보다 작고 상기 나노 임프린트 레지스트층의 굴절률보다 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제1굴절률 조절층은 ZnO, Al-doped ZnO, In-doped ZnO, Ga-doped ZnO, ZrO2, TiO2, SiO2, SiO, Al2O3, CuOX 및 ITO로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제11항에 있어서,상기 제2굴절률 조절층은 MgO계 산화물인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제15항에 있어서,상기 제2굴절률 조절층을 구성하는 MgO계 산화물은 MgO에 다른 원소를 첨가하여 형성된 다원화합물인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제9항에 있어서,상기 n형 전극은 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 n형 질화물 반도체층이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 전도성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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발광다이오드 제조방법에 있어서, 입사되는 광을 산란시켜 반사시키기 위한 패턴이 형성되어 있는 기판 상에 n형 질화물 반도체층, 발광층 및 p형 질화물 반도체층을 형성하는 단계; 상기 p형 질화물 반도체층, 상기 발광층 및 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 메사 식각하여 상기 n형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계; 상기 p형 질화물 반도체층 상에 투명전극을 형성하는 단계; 상기 투명전극 상에 나노 임프린트 레지스트층을 형성하는 단계; 기둥 형태의 나노 패턴이 형성되어 있는 나노 임프린트 몰드를 상기 나노 임프린트 레지스트층에 가압하여 상기 기둥 형태의 나노 패턴에 반전된 기둥홈 형태의 나노 패턴을 상기 나노 임프린트 레지스트층에 전사하는 단계; 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층으로부터 상기 나노 임프린트 몰드를 분리하는 단계; 및 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 식각하여 p형 반사전극을 형성하고 상기 n형 질화물 반도체층 상에 n형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 발광다이오드 제조방법
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제18항에 있어서,상기 나노 임프린트 몰드는 제1항의 나노 임프린트 몰드 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제18항에 있어서,상기 투명전극은 ITO인 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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제18항에 있어서,상기 p형 반사전극은 상기 기둥홈 형태의 나노 패턴이 형성된 나노 임프린트 레지스트층의 일부를 상기 투명전극이 노출되도록 식각한 후 상기 식각된 영역에 전도성 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
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