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플루오르카본이 도입된 비휘발성 메모리 특성 자기조립성 브러쉬 블록 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자(SELF-ASSEMBLED BRUSH BLOCK COPOLYMERS WITH FLUOROCARBON FOR MEMORY DEVICE, PREPARATION THEREOF AND PRODUCTS COMPRISING THE POLYMER)

  • 기술번호 : KST2016014897
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디지털 메모리 특성을 가지는 폴리에테르 고분자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 브러쉬 말단에 디지털 메모리 특성을 가지는 화합물이 형성되는 폴리에테르 브러쉬 고분자 물질과 그 합성, 및 발명된 고분자를 상부 전극과 하부 전극사이에서 고분자를 활성층으로 이용하여 제조되는 비휘발성 메모리 소자에 관한 것이다.
Int. CL C08G 65/00 (2006.01) C08L 71/00 (2006.01) H01L 27/10 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) C08G 65/48 (2006.01)
CPC C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01) C08G 65/00(2013.01)
출원번호/일자 1020160095439 (2016.07.27)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0093589 (2016.08.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2014-0009041 (2014.01.24)
관련 출원번호 1020140009041
심사청구여부/일자 Y (2016.07.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이문호 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 정성민 대한민국 경상남도 창원시
3 위동우 대한민국 경상북도 김천시 지좌길
4 김영용 대한민국 서울특별시 노원구
5 권경호 대한민국 대구광역시 동구
6 송성진 대한민국 대전광역시 서구
7 이진석 대한민국 경기도 부천시 소사구
8 고용기 대한민국 경기도 부천시 원미구
9 김종현 대한민국 대구광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상훈 대한민국 서울특별시 영등포구 선유로 *길 **, **층 ****호 (문래동*가, 문래 sk v*센터)(새생명특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-0730496-44
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0745732-12
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-1174957-27
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1174972-13
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0150065-12
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.02.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-0202172-17
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.02.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0202202-99
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0296532-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
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번호 청구항
1 1
하기 화학식(4)을 포함하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
2 2
제1항에 있어서, 상기 화학식(1)의 관능기가 하기 화학식(2)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
3 3
하기 화학식 (5)로 표현되는 것을 특징으로 하는 폴리에테르 브러쉬 고분자
4 4
청구항 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 가지는 고분자 메모리 소자
5 5
제4항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자는 하부 전극; 상기 하부전극 위에 형성된 유기 활성층; 및 상기 유기활성층 위에 형성된 상부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
6 6
제4항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자
7 7
기판상에 형성된 하부 전극 위에 청구항 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 폴리에테르 브러쉬 고분자를 포함하는 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층과 접촉하도록 상부 전극을 형성하는 단계를 포함하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 폴리에테르 브러쉬 고분자는 나노구조화된 폴리에테르 브러쉬 고분자인 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자 제조 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 나노 구조화는 활성층의 용매 어닐링을 통해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 고분자 메모리 소자의 양단에 전압을 가하여 활성층 안으로 전자와 홀을 유입시켜, 활성층 내부에 필라멘트를 통하여 전류가 흐르도록 하는 단계를 더 포함하는 고분자 메모리 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020150088951 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 포항공과대학교 산학협력단 중견연구자지원사업 디지털 프로그램 비휘발성 메모리 고분자 나노소재 연구