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기판을 제공하는 준비 단계; 상기 기판의 표면에 대한 물 접촉각이 적어도 70°가 되도록, 상기 기판의 표면 에너지를 낮추는 표면 에너지 하향 조절 단계; 상기 기판의 표면 상에 다수의 금속점을 형성하는 금속점 형성 단계; 상기 기판의 표면에 대한 물 접촉각이 30°를 넘지 않도록, 상기 금속점이 형성된 상기 기판의 표면 이외의 상기 기판의 표면 에너지를 높이는 표면 에너지 상향 조절 단계; 상기 금속점이 형성된 기판의 표면 중 에너지가 높아진 표면 상에 전극층을 형성하는 전극층 형성 단계; 및 상기 기판의 에너지가 낮은 표면에 형성된 상기 금속점을 제거하여 상기 전극층에 홀을 형성하는 홀 형성 단계;를 포함하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 표면 에너지 하향 조절 단계는, 자가조립단층(SAM, Self Assembled Monolayer) 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 표면 에너지 상향 조절 단계는, O2, N2, Ar, Cl, N2O, 및 CF4로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 혼합한 가스를 이용한 플라즈마 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속점은, Ag, Cu, Au, Pt, Sn로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속점은, 상기 기판의 표면 상에 소정 두께로 금속층을 형성한 후 100℃ 내지 600℃에서 1초 내지 3600초의 열처리를 통해 집괴되어 점의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속점 형성 단계에서, 상기 금속점이 100nm 내지 2um의 지름을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전극층 형성 단계에서, 상기 전극층이 1nm 내지 15nm의 두께가 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 전극층 형성 단계에서, 상기 전극층은 Ag, Au, Cu, Ca, Mg로 이루어진 군 중에서 적어도 하나 이상을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 준비 단계, 금속점 형성 단계, 전극층 형성 단계, 및 홀 형성 단계를 거쳐서 제작된 홀이 형성된 투명 전극의 면저항은 1ohm/sq 내지 100ohm/sq인 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 투명 전극은, 400nm 내지 700nm 파장에서의 투과도가 70% ~ 100%인 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은, PET(Poly ethylene terephthalate), PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Poly(methylmethacrylate), PUA(Poly urethane acrylate), Polyimide, SU-8, omoclear 중 어느 하나의 고분자 재료로 이뤄진 기판, glass의 투명 산화물 기판, GaN 또는 GaAs의 반도체 물질로 이뤄진 기판 중 어느 하나의 기판 또는 이들이 적층된 기판을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극의 제조방법
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