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실리콘 나노 결정을 포함하는 실리콘 질화막으로 형성된 광전변환층;상기 광전변환층 상부에 형성된 전자주입층; 및상기 광전변환층을 사이에 두고 상기 전자주입층에 대향되며, 상기 광전변환층보다 높은 에너지 밴드 갭을 가지며, 실리콘 박막보다 낮은 굴절률을 갖는 정공주입층을 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 정공주입층은 p형의 질화물 반도체 박막으로 형성된 실리콘 나노 결정 발광소자
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제 2 항에 있어서,상기 질화물 반도체 박막은 GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, InAlGaN 중 어느 하나를 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 전자주입층은 n형 실리콘 카바이드 박막으로 형성된 실리콘 나노 결정 발광소자
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제 4 항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 박막은 SiC 또는 SiCN을 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 전자주입층 상에 형성된 투명 전극을 더 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 투명 전극 상에 형성된 상부 전극; 및상기 정공주입층 하부에 형성된 하부 전극을 더 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자
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실리콘 박막보다 낮은 굴절률을 가지며, 가시광선을 투과하는 에너지 밴드 갭을 갖는 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 실리콘 나노 결정을 포함하는 실리콘 질화막의 광전변환층을 형성하는 단계; 및상기 광전변환층 상에 전자주입층을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 정공주입층은 상기 광전변환층보다 높은 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성되는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 9 항에 있어서,상기 정공주입층은 p형의 질화물 반도체 박막으로 형성되는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 질화물 반도체 박막은 GaN, AlN, InN, AlGaN, InGaN, InAlN, InAlGaN 중 어느 하나를 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 광전변환층을 형성하는 단계는,플라즈마 강화 화학기상증착법(plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 상기 실리콘 질화막 내에 상기 실리콘 나노 결정을 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전자주입층은 n형 실리콘 카바이드 박막으로 형성되는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 13 항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 박막은 SiC 또는 SiCN을 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 전자주입층 상에 투명 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 실리콘 나노 결정 발광소자의 제조방법
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