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2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법 및 상기 방법에 의해 제조된 CIS계 박막태양전지(Method for the fabrication of Cu(InGa)Se2 thin film solar cell and thereof)

  • 기술번호 : KST2016015272
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RTP를 통해 CIS계 박막 결정 성장에 있어서, 제1단계 RTP를 통해 Cu2-xSe를 CuSe 및/또는 CuSe2로 변이시켜, 상기 제1단계보다 높은 온도에서 행하는 제2단계 RTP에서 액상의 도움으로 결정 성장이 촉진될 뿐만 아니라 결함이 적은 CIS계 박막 결정 성장이 이루어지도록 하는 기술에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0749 (2012.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020150018457 (2015.02.06)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0096864 (2016.08.17) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.06)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김우경 대한민국 대구광역시 수성구
2 구자석 대한민국 경상북도 의성군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0128547-30
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.10.08 수리 (Accepted) 9-1-2015-0063695-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0803896-06
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0007102-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0150163-18
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0231708-13
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0356926-13
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2016.04.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0056220-22
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0478976-13
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0478982-87
12 등록결정서
Decision to grant
2016.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0694903-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIS계 박막태양전지의 제조 방법에 있어서, 기판 및 후면전극 위에 각각 Se를 포함하는 상층 및 하층 구조의 이중층 전구체를 제조하되, 상기 이중층 전구체의 상층은 Cu2-xSe(여기서, 0≤x003c#1)인 전구체 형성 단계(a); 상기 이중층 전구체를 프리어닐링(pre-annealing)하여 Cu2-xSe의 일부 또는 전부가 CuSe 또는 CuSe2로 변이되도록 Se이 공급되는 분위기 하에서 행하는 제1단계 RTP(Rapid Thermal Process) 단계(b); 및 Se이 공급되는 분위기 하에서 상기 제1단계 RTP보다 높은 온도에서 행하는 제2단계 RTP 단계(c)를 포함하는 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
2 2
제1항에서, 상기 CIS계 박막은 하기 조성을 갖는 것을 특징으로 하는 제2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
3 3
제1항에서, 상기 이중층 전구체의 하층은 In 및 Ga 중에서 선택되는 1종 이상의 금속과 Se를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
4 4
제1항에서, 상기 이중층 전구체의 상층은 Cu2Se인 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
5 5
제1항에서, 상기 이중층 전구체는 스퍼터링에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
6 6
제1항에서, 상기 제1단계 RTP 온도 범위는 210 ~ 332℃인 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
7 7
제1항에서, 상기 제1단계 RTP 시간은 5분 이상인 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
8 8
제1항에서, 상기 제2단계 RTP 온도 범위는 400 ~ 600℃인 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
9 9
제1항에서, 상기 제2단계 RTP 시간은 3분 이상인 것을 특징으로 하는 2단계 RTP 공정을 이용한 CIS계 박막태양전지 제조 방법
10 10
제1항 내지 제9항 중의 어느 한 항의 방법으로 제조된 CIS계 박막태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 영남대학교 산학협력단 대경 태양전지/모듈 소재공정 지역혁신센터사업 대경 태양전지/모듈 소재공정 지역혁신센터사업