[KST2015141524][한양대학교] |
난수 발생기 및 이의 제조방법 |
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[KST2017013384][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2017013386][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2020008710][한양대학교] |
메모리 소자 |
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[KST2021002648][한양대학교] |
합성형 반강자성체 및 이를 이용하는 다중 비트 메모리 |
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[KST2018001520][한양대학교] |
다층 자성 박막 스택 및 이를 포함하는 데이터 저장 장치(Multi-layered magnetic thin film stack and data storage device having the same) |
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[KST2016017116][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2016017207][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2017000085][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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[KST2019018471][한양대학교] |
스커미온 기반 스핀 시냅스 소자 및 그 제조 방법 |
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[KST2020008785][한양대학교] |
멀티 비트 수직 자기 터널링 접합에 기반한 메모리 소자 |
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[KST2017015763][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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[KST2016018223][한양대학교] |
단일 MTJ를 이용한 2-input 프로그래머블 논리 소자(2-input Programmable Logic Element using single MTJ) |
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[KST2015142395][한양대학교] |
수직 자기 이방성을 갖는 MTJ 구조, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 자성소자 |
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[KST2015142452][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 |
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[KST2019014303][한양대학교] |
메모리 소자 |
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[KST2016017118][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2015142596][한양대학교] |
강자성 다층박막 및 이를 포함하는 MTJ 구조 |
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[KST2016005924][한양대학교] |
보호막을 갖는 MTJ 셀 및 그 제작 방법(MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL INCLUDING PROTECTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF) |
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[KST2017013380][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2015142164][한양대학교] |
메모리 소자 |
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[KST2017000394][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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[KST2016014188][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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[KST2017013381][한양대학교] |
메모리 소자(Memory device) |
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[KST2016014791][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 이를 포함하는 자성소자(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and Magnetic element including the same) |
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[KST2018004967][한양대학교] |
다단계 비트를 저장하는 스핀-시냅스 소자 및 이의 동작 방법(Spin-Synapse Device Storing Multi-bit and the Method of the same) |
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[KST2016017208][한양대학교] |
스핀-오비트 토크를 이용한 자성소자(Magnetic device using spin-orbit torque) |
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[KST2018004965][한양대학교] |
스핀 뉴런 소자 및 이의 동작방법(Spin Neuron Device and Method of operating the same) |
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[KST2018004968][한양대학교] |
스핀 궤도 토크를 이용하는 스핀 시냅스 소자 및 이의 동작방법(Spin Synapse Device using Spin Orbit Torque and Method of operating the same) |
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[KST2018005156][한양대학교] |
수직자기이방성을 갖는 MTJ 구조 및 그 제조방법(Magnetic tunnel junction structure with perpendicular magnetic anisotropy and method of manufacturing the same) |
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