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CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매와 그의 제조방법(Effective photocatalyst and the Method thereof)

  • 기술번호 : KST2016015339
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매와 그의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 밴드갭이 크고, 전하 전달속도가 빨라 가시광영역에서 광 흡수가 빠른 산화 아연을 열처리하고, 넓은 가시광영역에서 광흡수를 하는 CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 광촉매와 그의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 태양전지의 광변환효율을 높여 수소 에너지 생산 효율을 증대시키는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01) H01L 31/0328(2013.01)
출원번호/일자 1020150019346 (2015.02.09)
출원인 금오공과대학교 산학협력단, 강호준, 전창구
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0097548 (2016.08.18) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 금오공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 구미시
2 강호준 대한민국 대구광역시 북구
3 전창구 대한민국 대구광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강호준 대한민국 대구광역시 북구
2 전창구 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 신태양 대한민국 대전광역시 서구 둔산중로 ***, 주은리더스텔 ***호~***호 (둔산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0134506-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2015-5157879-38
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5079599-14
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번호 청구항
1 1
CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매에 있어서, 태양광에 광활성을 갖는 광촉매 물질과;상기 광촉매 물질에 흡착하여 가시광영역에서 광흡수를 증대하기 위한 양자점 물질을 포함하는CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매
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제 1항에 있어서,상기 광 촉매 물질은산화 아연인 것을 특징으로 하며, 상기 양자점 물질은황화 카드뮴, 셀렌화 카드뮴 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매
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CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매의 제조방법에 있어서,FTO Glass기판을 초음파 세척하는 세척단계(S1)와;상기 세척단계를 거친 FTO Glass 기판을 아세트산 아연과 에탄올을 혼합한 용액에 코팅하여 산화아연 시드를 형성하는 산화아연 시드형성단계(S2)와;상기 시드를 600도에서 30분간 유지하는 열처리 단계(S3)와;상기 열처리된 시드를 수열합성법을 이용하여 나노로드로 성장시키는 나노로드 생성단계(S4)와;생성된 나노로드에 계층구조를 형성하여 나노와이어를 형성하는 나노와이어 형성단계(S5)와;SILAR법을 이용하여 양자점 물질을 흡착하는 흡착단계(S6)를 포함하는CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 양자점 물질은황화 카드뮴, 셀렌화 카드뮴 중 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는CdS/CdSe를 양자점 물질로 사용한 계층구조 산화아연 광촉매의 제조방법
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