| 1 |
1
제1 형 기판;상기 제1형 기판에 형성된 제1 형 전극; 및상기 제1형 기판에 트렌치 구조로 형성된 제2 형 전극을 포함하되,상기 제1형 기판과 상기 제1 형 전극간 PN 접합에 의해 수직으로 형성된 공핍층에 방사선이 입사되는 수직형 베타전지 구조체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 제1 형은 P형이며, 상기 제2 형은 N형인 수직형 베타전지 구조체
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 제1 형은 N형이며, 상기 제2 형은 P형인 수직형 베타전지 구조체
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 제1 형 전극은,상기 제1 형 기판에 제1 형 불순물로 형성된 제1 형 영역; 및상기 제1 형 영역의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 수직형 베타전지 구조체
|
| 5 |
5
제1항에 있어서, 상기 제2 형 전극은,상기 트렌치 구조의 하부면 및 측면에 형성된 제2 형 영역;상기 제2 영역에 의해 정의된 영역에 충진된 유전체물질; 및상기 제2 형 영역의 상부에 형성된 금속층을 포함하는 수직형 베타전지 구조체
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 공핍층 상부에 위치하며 상기 방사선을 방사하는 방사성동위원소층을 더 포함하는 수직형 베타전지 구조체
|
| 7 |
7
제6항에 있어서, 상기 제1 형 기판과 상기 방사성동위원소층 사이에 형성된 시드층을 더 포함하는 수직형 베타전지 구조체
|
| 8 |
8
제1 형 기판에 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치에 제2 형 전극을 형성하는 단계; 및상기 제1 형 기판에 제1 형 전극을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제1형 기판과 상기 제1 형 전극간 PN 접합에 의해 수직으로 형성된 공핍층에 방사선이 입사되는 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서, 상기 제1 형은 P형이며, 상기 제2 형은 N형인 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서, 상기 제1 형은 N형이며, 상기 제2 형은 P형인 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서, 상기 상기 제1 형 기판에 제1 형 전극을 형성하는 단계는,상기 제1 형 기판에 제1 형 불순물로 제1 형 영역을 형성하는 단계; 및상기 제1 형 영역의 상부에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서, 상기 트렌치에 제2 형 전극을 형성하는 단계는,상기 트렌치 구조의 하부면 및 측면에 제2 형 영역을 형성하는 단계;상기 제2 영역에 의해 정의된 영역에 유전체물질을 충진하는 단계; 및상기 제2 형 영역의 상부에 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
| 13 |
13
제8항에 있어서, 상기 공핍층 상부에 위치하며 상기 방사선을 방사하는 방사성동위원소층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서, 상기 공핍층 상부에 위치하며 상기 방사선을 방사하는 방사성동위원소층을 형성하는 단계 이전에 상기 제1 형 기판과 상기 방사성동위원소층 사이에 시드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 수직형 베타전지 구조체를 제조하는 방법
|
