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볼록부와 오목부가 형성된 고분자 몰드를 준비하는 단계(단계 a);과불소 중합체를 포함하는 고분자 용액을 준비하는 단계(단계 b);상기 단계 a에서 준비된 고분자 몰드에 상기 단계 b에서 준비된 고분자 용액을 도포하여 고분자 몰드의 볼록부 표면에 고분자 층을 형성하는 단계(단계 c); 및상기 단계 c에서 고분자 층이 형성된 고분자 몰드를 기판에 접촉시켜 고분자 몰드의 볼록부 표면에 형성된 고분자 층을 전사하는 단계(단계 d);를 수행하여 기판 상부에 과불소 중합체 패턴을 형성하는 단계(단계 1);은 나노 와이어 단독; 또는 은 나노 와이어 및 전도성 고분자, 탄소 나노 플레이트, 금속 입자, 세라믹 입자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 은 나노 와이어 분산액을 상기 단계 1의 과불소 중합체 패턴이 형성된 기판에 도포하여 은 나노 와이어 패턴을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 은 나노 와이어 패턴 양 말단에 접촉하는 금속 전극을 형성시키는 단계(단계 3);산화아연 나노로드와 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매가 혼합된 산화아연 나노로드 분산액을 상기 단계 2에서 형성된 은 나노 와이어 패턴 상부에 도포하는 단계(단계 4);은 나노 와이어 단독; 또는 은 나노 와이어 및 전도성 고분자, 탄소 나노 플레이트, 금속 입자, 세라믹 입자, 그래핀 및 산화 그래핀으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상을 포함하는 보조 물질의 혼합물;과, 이소프로필 알콜, 에탄올, 메탄올 및 물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 용매;가 혼합된 은 나노 와이어 분산액을 상기 단계 4에서 도포된 산화아연 로드 상부에 도포하는 단계(단계 5); 및상기 과불소 중합체 패턴을 플루오르계 용매로 제거하는 단계(단계 6);를 포함하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 a의 고분자 몰드는 하드-폴리디메틸실록세인(h-PDMS) 몰드 또는 소프트-폴리디메틸실록세인(s-PDMS) 몰드인 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 b의 고분자 용액은 플루오르계 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 b의 과불소 중합체의 함량은 전체 고분자 용액에 대하여 1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 패턴을 형성하는 방법은 미세 인쇄 접촉 기술, 포토리소그래피법, 임프린트법, 잉크젯 프린팅 및 디스펜싱로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 방법인 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 과불소 중합체는 폴리(퍼플루오로알킬 메타크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl methacrylate) 또는 폴리(퍼플루오로알킬 아크릴레이트)(Poly(perfluoroalkyl acrylate)를 포함하는 단일 중합체 또는 공중합체인 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 형성된 패턴의 두께는 50 nm 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 기판은 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 기판, 폴리이미드(PI) 기판, 폴리카보네이트(PC) 기판, 폴리프로필렌(PP) 기판, 트리아세틸셀룰로오스(TAC) 기판 및 폴리에테르술폰(PES) 기판으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 유연성 기판인 것을 특징으로 하는 센서용 전극의 제조방법
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