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실리콘계 음극활물질의 제조방법 및 이를 이용한 리튬이차전지(A method of preparing silicon based anode active materials and lithium secondary battery using the same)

  • 기술번호 : KST2016015445
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면에 금속이 코팅된 리튬이차전지용 실리콘 나노와이어를 제조하는 방법 및 이로부터 제조된 리튬이차전지용 실리콘 나노와이어를 제공하며, 상기 방법은 금속촉매식각법에 의하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 (a) 단계; 식각된 실리콘 나노와이어 표면에 무작위로 전착된 금속을 제거하는 (b) 단계; 및 실리콘 나노와이어를 강산의 희석액에 담지하여 실리콘 나노와이어 표면에 금속 입자를 석출시키는 (c) 단계를 포함한다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) H01M 10/052 (2010.01) H01M 4/38 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01) C01B 33/021(2013.01)
출원번호/일자 1020150020232 (2015.02.10)
출원인 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자 10-1654281-0000 (2016.08.30)
공개번호/일자 10-2016-0098653 (2016.08.19) 문서열기
공고번호/일자 (20160906) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.10)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백성호 대한민국 대구광역시 동구
2 박정수 대한민국 대구광역시 북구
3 김재현 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 남앤남 대한민국 서울특별시 중구 서소문로 ** (서소문동, 정안빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0141012-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0008879-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0128197-34
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.04.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-0375666-26
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.04.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0375655-24
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0599753-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속촉매식각법에 의하여 실리콘 나노와이어를 형성하는 (a) 단계;식각된 실리콘 나노와이어 표면에 무작위로 전착된 금속을 제거하는 (b) 단계; 및실리콘 나노와이어를 강산의 희석액에 담지하여 실리콘 나노와이어 표면에 금속 입자를 석출시켜 금속 코팅을 형성하는 (c) 단계 를 포함하는 리튬이차전지용 실리콘 나노와이어의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, (a) 단계는 식각액에 실리콘 기판을 담지하는 것을 포함하며, 식각액이 불산(HF) 수용액 및 용해된 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법
3 3
제2항에 있어서,불산 수용액의 농도가 4 M 내지 5 M인 것을 특징으로 하는, 방법
4 4
제1항에 있어서, (c) 단계에서 강산의 희석액이 0
5 5
제2항에 있어서, 금속이 은, 금, 구리, 납, 주석, 니켈, 코발트, 카드뮴, 철, 크롬, 및 아연으로부터 선택되는 1 이상인 것을 특징으로 하는, 방법
6 6
제5항에 있어서, 금속이 은을 포함하는 것을 특징으로 하는, 방법
7 7
제2항에 있어서, 불산 수용액 내의 금속의 농도가 0
8 8
제1항에 있어서, (b) 단계가 질산 에칭액에 실리콘 나노와이어를 담지함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는, 방법
9 9
제1항에 있어서, 강산이 불산(HF), 염산(HCl), 황산(H2SO4) 또는 질산(HNO3)인 것을 특징으로 하는, 방법
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법에 의하여 제조된 실리콘 나노와이어로서, 표면에 금속 입자가 균일하게 분포되어 있는 리튬이차전지용 실리콘 나노와이어
11 11
제10항의 리튬이차전지용 실리콘 나노와이어를 포함하는 음극 활물질
12 12
제11항의 음극 활물질을 사용하는 리튬이차전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.