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이음매없이 병합된 복수의 그레인으로 이루어진 유사 단결정의 단원자층이며, 각 그레인은 대략 10㎛~1000㎛ 크기를 가진 육방정계 질화붕소 원자모노층 박막
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제 1 항에 있어서,상기 육방정계 질화붕소(h-BN) 원자모노층 박막은 대략 1cm ~ 30cm 의 크기를 가진 육방정계 질화붕소 원자모노층 박막
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제1항에 있어서,상기 h-BN 원자모노층 박막은 그레인 바운더리에 라인 결함이 없는 육방정계 질화붕소 원자모노층 박막
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제1항에 있어서,상기 금속박막은 복수의 결정방향 플레인으로 이루어진 금속박막 그레인을 포함하며, 상기 금속박막의 그레인 바운더리에 형성된 h-BN 그레인은 상기 금속 박막의 그레인 바운더리에 접촉하는 그레인 중 어느 하나의 상기 금속 박막의 그레인에 형성된 h-BN 그레인의 결정방향에 따른 결정방향을 가진 육방정계 질화붕소 원자모노층 박막
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챔버 내에 수소개스를 공급하여 금속 박막을 제1온도에서 전열처리 (pre-annealing) 하는 단계; 및상기 챔버에 질소 소스 및 붕소 소스와 함께 상기 수소개스를 공급하고 제2온도에서 열처리하여 상기 금속 박막 위로 복수의 h-BN 그레인이 이음매없이 병합되며, 각 그레인은 대략 10㎛~1㎝ 크기를 가진 유사 단결정의 단원자층인 h-BN 원자모노층 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 h-BN 원자모노층 박막의 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 전열처리 단계 및 상기 h-BN 원자모노층 박막 형성 단계는 상기 챔버에서 연속적으로 수행되는 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 제1온도 및 상기 제2온도는 실질적으로 동일한 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 h-BN 원자모노층 박막 형성단계는: 복수의 h-BN 시드를 형성하는 단계;상기 복수의 h-BN 시드로부터 성장된 복수의 h-BN 그레인을 형성하는 단계; 및상기 복수의 h-BN 그레인을 병합하여 이음매 없는 유사 단결정의 h-BN 원자모노층 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 h-BN 원자모노층 박막의 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 h-BN 원자모노층 박막 형성단계는 상기 수소 개스 공급량을 상기 질소 소스 및 붕소 소스 공급량 보다 대략 100~200 배 부피비로 공급하는 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 복수의 h-BN 시드는 대략 10㎛~1000㎛ 간격으로 형성되는 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 h-BN 원자모노층 박막은 대략 1cm ~ 30cm 크기를 가진 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 h-BN 원자모노층 박막은 인접한 h-BN 그레인들 사이의 그레인 바운더리에 라인 결함이 없는 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 금속박막은 복수의 결정방향 플레인으로 이루어진 금속박막 그레인을 포함하며, 상기 금속박막의 그레인 바운더리에 형성된 h-BN 그레인은 상기 금속 박막의 그레인 바운더리에 접촉하는 그레인 중 어느 하나의 상기 금속 박막의 그레인에 형성된 h-BN 그레인의 결정방향에 따른 결정방향을 가진 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 전열처리 단계 이전에 상기 금속 박막의 상부면을 연마하는 공정을 더 포함하는 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 연마 공정은 화학적 연마, 물리적 연마, 기계화학적 연마 및 전해 연마 를 포함하는 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 질소 소스는 NH3 또는 N2 인 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 붕소 소스는 BH3, BF3, BCl3, B2H6, (CH3CH2)3B, (CH3)3B, 지보란에서 선택된 하나 이상인 것인 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 질소와 붕소 소스는 암모니아 보란 및 보라진을 포함하는 제조방법
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제 5 항에 있어서,상기 금속 박막은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탈륨(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V) 및 지르코늄(Zr)을 포함하는 제조방법
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