| 요약 |
DUV LED에 있어서, 기판으로부터 순차적으로 적층된 N형 화합물 반도체층, 활성층, EBL(Electron Blocking Layer), P형 화합물 반도체층을 가진 DUV LED에 있어서, 활성층은 세 개의 양자우물층 및 N형 화합물 반도체층으로부터 세 개의 양자우물층을 감싸는 제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층 및 제4 배리어층을 포함하며, 제2 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며, 그 중앙에 조성비를 달리하는 제2-A 배리어층을, 제3 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며, 그 중앙에 조성비를 달리하는 제3-A 배리어층을, 제4 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며, 그 중앙에 조성비를 달리하는 제4-A 배리어층을 각 포함하되, 제2-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x)Ga(1-x)N, 제3-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x-a)Ga(1-x+a)N, 제4-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x-2a)Ga(1-x+2a)N 이며, (여기서, 0003c#x003c#1, 0003c#a003c#0.5) 제2-A, 제3-A, 제4-A 배리어층을 제외한 제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층 및 제4 배리어층은 동일한 화합물 조성비로 이루어진 것을 특징으로 하는 본 발명의 일 실시예에 따른 점진적 함정 장벽을 이용한 고효율 DUV LED가 개시된다.
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