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기판으로부터 순차적으로 적층된 N형 화합물 반도체층, 활성층, P형 화합물 반도체층을 가진 DUV LED에 있어서,상기 활성층은 세 개의 양자우물층 및 N형 화합물 반도체층으로부터 상기 세 개의 양자우물층을 감싸는 제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층 및 제4 배리어층을 포함하며,상기 제1 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며 그 중앙에 조성비를 달리하는 제1-A 배리어층을, 상기 제2 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며 그 중앙에 조성비를 달리하는 제2-A 배리어층을, 상기 제3 배리어층은 샌드위치 구조로 형성되며 그 중앙에 조성비를 달리하는 제3-A 배리어층을 각 포함하되,상기 제1-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x)Ga(1-x)N, 상기 제2-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x-a)Ga(1-x+a)N, 상기 제3-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x-2a)Ga(1-x+2a)N 이며, (여기서, 0003c#x003c#1, 0003c#a003c#0
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제 1항에 있어서,상기 DUV LED의상기 제1-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x)Ga(1-x)N, 상기 제2-A 배리어층의 화합물 조성은 Al(x-0
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제2항에 있어서,상기 제1-A, 제2-A, 제3-A 배리어층을 제외한 상기 제1 배리어층, 제2 배리어층, 제3 배리어층 및 제4 배리어층의 화합물 조성은 Al0
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제3항에 있어서,상기 제1 배리어층, 상기 제2 배리어층, 상기 제3 배리어층은 각 6nm 두께로 증착되며, 그 중 상기 제1-A 배리어층, 상기 제2-A 배리어층, 상기 제3-A 배리어층은 각 2nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 DUV LED
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제4항에 있어서,상기 N형 화합물 반도체층의 화합물 조성은 n-doped Al0
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제5항에 있어서상기 N형 화합물 반도체층은 2um 두께로 증착되며,상기 P형 화합물 반도체 층은 100nm 두께로 증착되고,상기 p-GaN 층은 20nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 DUV LED
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