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그래핀을 완충층으로 사용한 게르마늄 단결정 박막의 제조 방법(Method of high-quality germanium films by graphene buffer layer)

  • 기술번호 : KST2016015768
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 그래핀을 사용하여 성장한 고품질 단결정 게르마늄 박막의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 단결정 게르마늄 박막 성장법은 저압 화학기상증착(LP-CVD) 방법을 기반으로, 실리콘 옥사이드 기판 위에 형성된 그래핀을 완충층으로 하여 게르마늄 박막을 성장시키는 것이다. 실리콘 옥사이드 기판 위에 그래핀을 전사시키는 단계, 저온에서 게르마늄 박막 성장하는 단계, 게르마늄 박막의 결정성을 향상시키는 열처리 단계 및 고온에서 게르마늄 박막을 성장하는 단계를 통하여 고품질의 게르마늄 단결정 박막을 얻을 수 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/0392 (2006.01)
CPC H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01) H01L 31/0392(2013.01)
출원번호/일자 1020150024028 (2015.02.17)
출원인 국방과학연구소
등록번호/일자 10-1683127-0000 (2016.11.30)
공개번호/일자 10-2016-0101451 (2016.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20161206) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.17)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 여재성 대한민국 대전광역시 유성구
2 이은혜 대한민국 서울특별시 강남구
3 정동익 대한민국 세종특별자치시
4 최헌진 대한민국 서울특별시 성북구
5 박윤호 대한민국 서울특별시 노원구
6 김성욱 대한민국 서울특별시 동대문구
7 이재준 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국방과학연구소 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0167225-03
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0798410-12
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.01.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0053276-60
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2016-0053263-77
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2016.05.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0383457-70
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-0672964-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.07.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0672965-17
8 등록결정서
Decision to grant		 2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0859706-20
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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실리콘 기판 위에 실리콘 옥사이드를 성장시켜 실리콘 옥사이드 기판을 형성하고, 게르마늄 산화막 형성을 제어하여 게르마늄 단결정 박막이 성장하도록 상기 실리콘 옥사이드 기판 위에 그래핀을 전사시키는 단계;400℃ 의 온도, 2×10-3Torr의 압력 및 분당 0
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.