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암세포 재발 방지에 이용되는 압전소자에 있어서,상기 압전소자는, 암세포 제거 수술한 객체의 적어도 일부에 위치하고, 인체에서 유도되는 전기신호를 이용하여 진동하며, 상기 진동을 이용하여 상기 제거된 암이 재발하는 것이 방지되고,상기 압전소자는 무기물 강유전 물질과 금속 및 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는, 압전소자
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제 1항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 압전소자
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3
제 1항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 PZT인 것을 특징으로 하는, 압전소자
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4
제 1항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는, 압전소자
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제 4항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), PVDF를 포함하는 중합체, PVDF를 포함하는 공중합체, PVDF를 포함하는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 압전소자
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제 1항에 있어서,상기 압전소자는,하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트형 금속 산화물을 함유하는 주성분;제1 부성분으로서의 Mn;제2 부성분으로서의 Li; 및제3 부성분으로서의 Bi를 포함하며, 상기 Mn 함량은 금속 산화물 100 중량부에 대하여 금속 환산으로 0
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8
제 7항에 있어서, Si 및 B 중 하나 이상을 함유하는 제4 부성분을 추가로 포함하며, 여기서 제4 부성분의 함량은 화학식 1로 표시되는 금속 산화물 100 중량부에 대하여 금속 환산으로 0
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, α 및 β가 0
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, 화학식 1에서 x, y, 및 z가 y + z ≤ (11x/14) - 0
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제 7항 또는 제 8항에 있어서, -60℃ 이상 100℃ 이하의 온도 범위에서 상 전이가 일어나지 않는 압전소자
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암세포 발생 억제에 이용되는 압전소자에 있어서상기 압전소자는, 상기 암세포가 발생한 객체의 적어도 일부에 위치하고, 인체에서 유도되는 전기신호를 이용하여 진동하며,상기 압전소자의 진동을 이용하여 상기 암세포의 발생이 억제되며,상기 압전소자는 무기물 강유전 물질과 금속 및 유기물의 혼합물로 구성되는 것을 특징으로 하는, 압전소자
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13
제 12항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 산화물 강유전체, 불화물 강유전체, 강유전체 반도체나 이들 무기물의 혼합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 압전소자
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14
제 12항에 있어서,상기 무기물 강유전 물질이 PZT인 것을 특징으로 하는, 압전소자
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15
제 12항에 있어서,상기 유기물이 고분자 강유전체인 것을 특징으로 하는, 압전소자
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16
제 15항에 있어서,상기 고분자 강유전체가 폴리비닐리덴 플로라이드(PVDF), PVDF를 포함하는 중합체, PVDF를 포함하는 공중합체, PVDF를 포함하는 삼원공중합체, 홀수의 나일론, 시아노중합체 및 이들의 중합체나 공중합체 중 적어도 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는, 압전소자
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제 12항에 있어서,상기 압전소자는,하기 화학식 1로 표시되는 페로브스카이트형 금속 산화물을 함유하는 주성분;제1 부성분으로서의 Mn;제2 부성분으로서의 Li; 및제3 부성분으로서의 Bi를 포함하며, 상기 Mn 함량은 금속 산화물 100 중량부에 대하여 금속 환산으로 0
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19
제 18항에 있어서, Si 및 B 중 하나 이상을 함유하는 제4 부성분을 추가로 포함하며, 여기서 제4 부성분의 함량은 화학식 1로 표시되는 금속 산화물 100 중량부에 대하여 금속 환산으로 0
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제 18항 또는 제 19항에 있어서, α 및 β가 0
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제 18항 또는 제 19항에 있어서,화학식 1에서 x, y, 및 z가 y + z ≤ (11x/14) - 0
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제 18항 또는 제 19항에 있어서, -60℃ 이상 100℃ 이하의 온도 범위에서 상 전이가 일어나지 않는 압전소자
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