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고속전자센서용 기판 및 그 제조방법(Substrate for high mobility electronic sensor and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016015802
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 확산전류가 흐르는 고속전자센서용 기판과 그 제조방법에 대한 것으로, 기판, 상기 기판 위에 배치되는 투명전극, 이때 투명전극은 게이트 전극으로 쓰일 수 있으며, 상기 기판과 상기 투명 전극 위에 배치되는 게이트 절연막을 포함하고, 상기 게이트 절연막은 SiOC로 이루어지며, 상기 게이트 절연막의 유전상수는 1.3~2.0인 것을 특징으로 하는 채널층이 없이도 동작하는 고이동도와 안정성의 트랜지스터가 제작 가능한 절연기판으로서, 소스와 드레인 전극은 제작하고자 하는 센서의 용도에 맞게 선택적으로 설계 제작될 수 있으며, 게이트 전극과 소스 및 드레인 전극은 게이트 절연막을 사이에 두고 서로 반대쪽에 위치하므로 게이트 전압이 음(-)의 바이어스인 경우에는 소스와 드레인 전류은 (+)값을 갖고, 게이트 전압이 양(+)의 바이어스인 경우 소스와 드레인 전류는 (-)값을 나타내므로 게이트 전압이 (-)바이어스에서 (+)로 이동함에 따라 소스와 드레인 전류는 (+)에서 (-)값을 갖는 양방향성 트랜지스터의 전달 특성을 나타내는 고속전자센서용 기판 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/316 (2006.01)
CPC H01L 29/78618(2013.01) H01L 29/78618(2013.01) H01L 29/78618(2013.01) H01L 29/78618(2013.01)
출원번호/일자 1020150023755 (2015.02.17)
출원인 청주대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1694270-0000 (2017.01.03)
공개번호/일자 10-2016-0101350 (2016.08.25) 문서열기
공고번호/일자 (20170123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.17)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 대한민국 충청북도 청주시 청원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오데레사 대한민국 충청북도 청주시 상당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 추혁 대한민국 경기도 화성시 동탄대로 ***-** 효성아이씨티타워 ****호(지엠국제특허)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 청주대학교 산학협력단 충청북도 청주시 청원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0165411-42
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-0044439-18
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079740-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0315601-21
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0629697-77
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0737816-70
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0837257-70
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0947574-30
10 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2016.10.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0145105-45
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.07 1-1-2016-0971700-16
12 면담 결과 기록서
2016.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0138713-52
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-1035706-14
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1035733-36
15 보정의취하간주안내문
2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0155848-28
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1163255-37
17 등록결정서
Decision to grant
2017.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0003987-89
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.04.07 수리 (Accepted) 4-1-2017-5054173-55
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고속전자센서용 기판으로서, 기판; 상기 기판의 상면 전체에 형성되는 투명전극; 상기 투명전극의 상면 일부에 형성되는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 위에 서로 이격하여 형성되는 소스 전극 및 드레인 전극; 및 상기 게이트 절연막과 이격하여 상기 투명전극 위에 형성되는 게이트 전극;으로 이루어지며,상기 게이트 절연막은 유전상수가 1
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은,규소(Si), 유리, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(Polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene naphtalate), 폴리카보네이트(Polycarbonate), 폴리에틸렌 술폰산염(Polyethylene sulfonate), 아릴라이트(Arylite), 폴리이미드(Polyimide), 폴리노르보넨(Polynorbonene) 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속전자센서용 기판
3 3
제 1항에 있어서, 상기 투명전극은, Al, 나노와이어, 그래핀, ITO, 투명전도성 산화물(TCO)기반 투명전극인 AZO, ZTO, IGZO, ZITO, SiZO, 하이브리드(복합소재) 투명전극 및 CNT 기반 투명전극 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고속전자센서용 기판
4 4
상기 제1항의 고속전자센서용 기판을 제조하기 위한 제조방법으로서, 기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 투명전극 및 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 기판과 상기 투명전극 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 위로 소스 전극과 드레인 전극을 각각 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 게이트 절연막은 유전상수가 1
5 5
제 4항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계에서 상기 게이트 절연막의 SiOC 타겟의 조성은 탄소함량이 0
6 6
제 5항에 있어서,상기 드레인 전극의 바이어스는 10-4 ~ 1V 범위의 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 확산전류가 흐르는 고속전자센서용 기판 제조방법
7 7
제 5항에 있어서,상기 게이트 절연막의 허용 누설전류의 범위는 10-13 ~ 10-10 A이하인 것을 특징으로 하는 확산전류가 흐르는 고속전자센서용 기판 제조방법
8 8
제 4항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는, DC스퍼터링 또는 RF스퍼터링에 의해서 이루어지는 것을 특징으로 하는 확산전류가 흐르는 고속전자센서용 기판 제조방법
9 9
제 4항에 있어서, 상기 게이트 절연막을 형성하는 단계는,상기 게이트 절연막 증착 후 0~450℃에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 확산전류가 흐르는 고속전자센서용 기판 제조방법
10 10
제 4항에 있어서, 상기 투명전극의 면저항은 5~800Ω 범위인 것을 특징으로 하는 확산전류가 흐르는 고속전자센서용 기판 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.