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절연 게이트 양극성 트랜지스터(INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR)

  • 기술번호 : KST2016015820
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전력 반도체 소자에 있어서, 이미터 전극과 컬렉터 전극 사이에 인슐레이터가 형성된 구조를 갖는다. 본 발명에 따르면, 드리프트 영역에 형성된 인슐레이터가 전기장의 균일도를 향상시킴으로써 전압 안정성과 열적 내성이 향상되는 이점이 있다.
Int. CL H01L 21/04 (2006.01) H01L 29/739 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01) H01L 29/7393(2013.01)
출원번호/일자 1020150023986 (2015.02.17)
출원인 전남대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0101758 (2016.08.26) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명진 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2015-0167066-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0007771-90
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0389799-19
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0744737-25
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.08.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0843289-16
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0843300-32
10 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0069364-80
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0300888-54
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0300887-19
13 등록결정서
Decision to grant
2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0378225-12
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전력 반도체 소자에 있어서,이미터 전극과 컬렉터 전극 사이에 전기장의 변화를 줄이도록 하는 인슐레이터가 홀 형태로 형성되며,상기 이미터 전극과 상기 컬렉터 전극 사이에는 게이트 전극에서 인가된 전압으로 반송자가 제어되는 드리프트 영역이 구비되고,상기 인슐레이터는 상기 드리프트 영역에 단일 유전체만으로 형성되되, 이미터 전극의 하부에서 수직한 방향으로 상기 드리프트 영역의 제1 소스 영역까지 신장되며,상기 드리프트 영역의 제1 소스 영역에 형성된 전기장의 균일도를 향상시키는 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자
2 2
제 1 항에 있어서,상기 인슐레이터는,절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT : Insulate Gate Bipolar Transistor)의 이미터 전극과 컬렉터 전극 사이에 형성된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 드리프트 영역은,도전성 물질이 도핑된 제1 소스 영역과 상기 제1 소스 영역보다 높은 도핑 농도를 갖는 제2 소스 영역을 구비하고, 상기 인슐레이터는 상기 제1 소스 영역에 형성된 것을 특징으로 하는 전력 반도체 소자
6 6
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래부 전남대학교 산학협력단 기초전력연구 고전압 고발열 내성을 개선하는 IGBT 구조 개발