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투명 도전층; 및상기 투명 도전층 상에 배치되며, 전이 금속 또는 전이 금속 산화물로 이루어진 매트릭스와 상기 매트릭스에 분산된 탄소계 나노 입자를 포함하는 탄소계 나노 템플레이트;를 포함하는 전극체
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제1 항에 있어서,상기 탄소계 나노 입자는 나노 다이아몬드, 다이아몬드 블렌드(diamond blend), 나노 카본(nano carbon), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube), 그래핀(graphene), 풀러렌(fullerene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체
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제1 항에 있어서,상기 전이 금속은 티타늄(Ti), 인듐(In), 아연(Zn), 철(Fe), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체
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제1 항에 있어서,상기 전이 금속 산화물은 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 납(Pb) 산화물, 철 산화물, 몰리브덴 산화물, 철티타늄(FeTi) 산화물, 망간티타늄(MnTi) 산화물 및 바륨티타늄(BaTi) 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체
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제1 항에 있어서,상기 매트릭스는 티타늄(Ⅳ) 클로라이드(titanium(Ⅳ) chloride), 티타늄(Ⅳ) 이소프로폭사이드(titanium(Ⅳ) isopropoxide) 및 티타늄(Ⅳ) 비스(에틸 아세토아세테이토)-다이이소프로폭사이드 (titanium(Ⅳ) bis(ethyl acetoacetato)diisopropoxide)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체
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제1 항에 있어서,상기 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체
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제1 항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 전극체를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
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기판;상기 기판 위에 배치되는 투명 도전층;상기 투명 도전층 상에 배치되며, 전이 금속 또는 전이 금속 산화물로 이루어진 매트릭스와 상기 매트릭스에 분산된 탄소계 나노 입자를 포함하는 블로킹층;상기 블로킹층 상에 배치되는 광흡수층;상기 광흡수층 상에 배치되는 전해질층; 및상기 전해질층 상에 배치되는 상대 전극;을 포함하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 탄소계 나노 입자는 나노 다이아몬드, 다이아몬드 블렌드(diamond blend), 나노 카본(nano carbon), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube), 그래핀(graphene), 풀러렌(fullerene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 전이 금속은 티타늄(Ti), 인듐(In), 아연(Zn), 철(Fe), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 전이 금속 산화물은 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 납(Pb) 산화물, 철 산화물, 몰리브덴 산화물, 철티타늄(FeTi) 산화물, 망간티타늄(MnTi) 산화물 및 바륨티타늄(BaTi) 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 매트릭스는 티타늄(Ⅳ) 클로라이드(titanium(Ⅳ) chloride), 티타늄(Ⅳ) 이소프로폭사이드(titanium(Ⅳ) isopropoxide) 및 티타늄(Ⅳ) 비스(에틸 아세토아세테이토)-다이이소프로폭사이드 (titanium(Ⅳ) bis(ethyl acetoacetato)diisopropoxide)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 광흡수층은 금속 산화물 상에 염료가 흡착된 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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제8 항에 있어서,상기 금속 산화물은 TiO2, SnO2, ZnO, WO3, Nb2O5, TiSrO3 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 염료 감응 태양 전지
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탄소계 나노 입자를 전이 금속 또는 전이 금속 산화물을 포함하는 용매에 분산하여 코팅액을 형성하는 단계;상기 코팅액을 투명 도전층 상에 도포하는 단계; 및도포된 상기 코팅액을 가열 및 건조하여 탄소계 나노 템플레이트를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 탄소계 나노 입자는 나노 다이아몬드, 다이아몬드 블렌드(diamond blend), 나노 카본(nano carbon), 탄소 나노 튜브(carbon nano tube), 그래핀(graphene), 풀러렌(fullerene) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 전이 금속은 티타늄(Ti), 인듐(In), 아연(Zn), 철(Fe), 주석(Sn), 몰리브덴(Mo) 및 텅스텐(W)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 전이 금속 산화물은 티타늄 산화물, 인듐 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물, 텅스텐 산화물, 납(Pb) 산화물, 철 산화물, 몰리브덴 산화물, 철티타늄(FeTi) 산화물, 망간티타늄(MnTi) 산화물 및 바륨티타늄(BaTi) 산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 용매는 티타늄(Ⅳ) 클로라이드(titanium(Ⅳ) chloride), 티타늄(Ⅳ) 이소프로폭사이드(titanium(Ⅳ) isopropoxide) 및 티타늄(Ⅳ) 비스(에틸 아세토아세테이토)-다이이소프로폭사이드 (titanium(Ⅳ) bis(ethyl acetoacetato)diisopropoxide)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나와 알코올의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 투명 도전층은 ITO(indium tin oxide), FTO(fluorine tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3 및 이들의 조합들로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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제16 항에 있어서,상기 코팅액을 형성하는 단계는 초음파 분쇄기(sonicator), 원심 분리기(centrifugal separator) 또는 교반기(stirrer)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 전극체의 제조 방법
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