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(a) i) 희생 기판상에 산화 그래핀(graphene oxide, GO) 분산 용액을 초음파 분무(ultrasonic spraying)하여 산화 그래핀층을 형성시킨 후, 상기 산화 그래핀층을 환원 기체 분위기에서 증기 환원(vapor reduction) 또는 가열 환원시키거나,ii) 희생 기판상에 산화 그래핀(graphene oxide, GO) 분산 용액 및 환원제 용액의 혼합 용액을 초음파 분무(ultrasonic spraying)하여, 환원된 산화 그래핀(reduced graphene oxide, RGO)층을 상기 희생 기판 상에 형성시키는 단계;(b) 상기 환원된 산화 그래핀층 상에 금속 나노와이어(metal nanowire) 분산 용액을 공기 분무(air spraying)하여 금속 나노와이어층을 형성시키는 단계;(c) 상기 금속 나노와이어층 상에 고분자 용액을 코팅하여 투명 고분자 기판층을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 희생 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 환원제 용액 또는 상기 환원 기체는, 히드라진(hydrazine), 히드라진 모노하이드라이트(hydrazine monohydrite), 하이드로 퀴논(hydroquinone), 디메틸히드라진(dimethylhydrazine), 페닐히드라진(phenylhydrazine), 에틸렌다이아민(ethylenediamine), 염화티오닐(thionylchloride) 및 나트륨붕수소화물(sodiumborohydride)로부터 선택되는 1종 이상의 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 희생 기판은 유리, 석영, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 및 금속으로부터 선택되는 1종으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 금속 나노와이어는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 아연(Zn) 및 철(Fe)로부터 선택되는 1종의 금속으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (c)에서 딥 코팅(dip coating), 스프레이 코팅(spray coating), 닥터 블래이드(doctor blade), 롤투롤 코팅(roll-to-roll coating), 그라비아 코팅(gravure coating) 및 바 코팅(bar coating)으로부터 선택되는 1종의 방법을 이용하여 상기 고분자를 금속 나노와이어층 상에 코팅하는 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 고분자는 폴리에스터(polyester)계, 폴리카보네이트(polycarbonate)계, 폴리에테르설폰(polyestersulfonate)계, 아크릴(acryl)계, 실리콘(silicone)계 또는 에폭시(epoxy)계 고분자인 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 단계 (d)는 물리적 박리, 침지 또는 전기 분해하여 상기 희생 기판을 제거하는 단계인 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름 제조방법
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 유연성 투명 전도성 필름
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제 8항에 있어서,86 Ω/□ 이하의 면저항을 나타내고, 78% 이상의 광투과율을 나타내는 것을 특징으로 하는 유연성 투명 전도성 필름
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제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 의해 제조된 유연성 투명 전도성 필름을 포함하는 유연성 디스플레이 소자
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