| 1 |
1
투명 기판;상기 투명 기판 상의 투명 발열 층; 및상기 투명 발열 층 상에 배치되어, 상기 투명 발열 층과 전기적으로 연결되는 전극을 포함하고,상기 투명 발열 층은:상기 투명 기판 상에 배치되고, 상기 전극으로부터 외부 전원을 공급받아 발열하는 금속 층; 상기 금속 층 상에 배치되고, 상기 금속 층에서 발생된 열을 균일하게 방열하는 방열 층; 및상기 방열 층 상에 배치되고, 광의 적외선 영역 중 적어도 일부의 파장 영역을 차단하고, 상기 광의 일부 파장 영역을 투과하는 선택적 투과 층을 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 금속 층은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), TiN, TaN, 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 선택적 투과 층은 가시 광선 영역 중 적어도 일부의 파장 영역을 투과하는 투명 면상 발열체
|
| 4 |
4
제1항에 있어서, 상기 선택적 투과 층은 산화인튬주석(Indium Tin Oxide, ITO), 알루미늄이 도핑된 산화아연(ZnO:Al), 갈륨이 도핑된 산화아연(ZnO:Ga), 붕소가 도핑된 산화아연(ZnO:B), 플로오르가 도핑된 이산화주석(SnO₂:F), 이산화산화주석(SnO2), InZnO, 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서, 상기 방열 층은 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 아연(Zn), 니켈(Ni), TiN, TaN, 텅스텐(W), 티타늄(Ti), 몰리브덴(Mo) 및 크롬(Cr) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 7 |
7
제1항에 있어서, 상기 투명 발열 층은 10 nm 내지 200 nm의 두께를 갖는 투명 면상 발열체
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 투명 발열 층은 상기 투명 기판과 상기 금속 층 사이에 배치되는 결정핵 기반층(seed layer)을 더 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 투명 발열 층은 상기 금속 층과 전극 사이에 배치되는 도전성 산화물 층을 더 포함하고,상기 금속 층은 상기 결정핵 기반층과 상기 도전성 산화물 층 사이에 배치되는 투명 면상 발열체
|
| 10 |
10
제1항에 있어서, 상기 투명 발열 층 상에 배치되어, 상기 전극을 덮는 투명 보호 층을 더 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 11 |
11
제1항에 있어서, 상기 투명 기판의 하측에 배치되어, 상기 투명 기판에 가해지는 응력을 완화하는 응력 완화 층을 더 포함하는 투명 면상 발열체
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 투명 발열 층은 상기 투명 기판의 일부가 노출되는 패턴을 갖는 투명 면상 발열체
|
