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기판 상에 유기 실리콘 전구체를 제공하여, 유기 실리콘 패턴을 형성하는 것; 및상기 유기 실리콘 패턴에 자외선을 조사하여, 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 유기 실리콘 전구체는 20℃ 및 1기압 하에서 1
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제1항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체는 20℃ 및 1기압 하에서 액체상태이며,상기 유기 실리콘 전구체는 Si-O 결합을 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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제2항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체는 폴리디메틸실록산(PDMS), 또는 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선은 100nm 내지 200nm의 파장 범위를 갖는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 자외선을 조사하는 것은, 상기 유기 실리콘 전구체를 상기 기판 상에 제공하는 것과 동시에 수행되거나 또는 상기 유기 실리콘 패턴을 형성한 후에 수행되는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체는, 이의 점도 및 전기전도도를 변화시킬 수 있는 용매 또는 이온을 추가로 포함하고,상기 유기 실리콘 전구체를 상기 기판 상에 제공하는 것은, 전기수력학적(electrohydrodynamic) 제트 프린팅법을 이용하는 것을 포함하며,상기 용매는 사이클로펜타논(cyclopentanone), 사이클로헥사논(cyclohexanone), 감마-뷰티로락톤(γ-butyrolactone), 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 에틸 에테르, N,N-디메틸 아세트아미드(N,N-dimethyl acetamide), N-메틸-2-피로디논(N-methyl-2-pyrrodinone), 테트라히드로퓨란(tetrahydrofuran), 에틸 아세테이트(ethyl acetate) 및 헥산(hexane), 글리세롤(glycerol), 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(Triethylene Glycol Monomethyl Ether), 에틸렌 글리콜(Ethylene glycol) 및 프로필렌 글리콜(Propylene glycol)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하고,상기 이온은 산, 염기 또는 이온염을 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체를 상기 기판 상에 제공하는 것은, 제트 프린팅법 또는 임프린트 리소그래피법을 추가로 이용하는 것을 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 실리콘 패턴과 상기 실리콘 산화물 패턴은 1 내지 10의 종횡비를 갖는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 실리콘 패턴 및 상기 실리콘 산화물 패턴은 각각 복수개로 제공되고,상기 유기 실리콘 패턴들 및 상기 실리콘 산화물 패턴들을 형성하는 것은:제1 유기 실리콘 패턴으로부터 제1 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것; 및제2 유기 실리콘 패턴으로부터 제2 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것을 포함하고,상기 제2 실리콘 산화물 패턴은 상기 제1 실리콘 산화물 패턴 상에 형성되는 3차원 구조체의 형성 방법
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제9항에 있어서,상기 제2 유기 실리콘 패턴은 상기 제1 유기 실리콘 패턴 상에 형성되며,상기 제1 및 제2 실리콘 산화물 패턴들은, 적층된 상기 제1 및 제2 유기 실리콘 패턴들에 자외선을 조사하여 함께 형성되는 3차원 구조체의 형성 방법
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제1항에 있어서,상기 유기 실리콘 패턴을 형성하는 것은, 평면적 관점에서 상기 기판 상에 격자 형태를 갖는 상기 유기 실리콘 패턴을 형성하는 것을 포함하고,상기 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것은, 상기 유기 실리콘 패턴에 자외선을 조사하여 격자 형태의 상기 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것을 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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기판 상에 유기 실리콘 전구체를 제공하여, 유기 실리콘 패턴을 형성하는 것; 및상기 유기 실리콘 패턴에 100nm 내지 200nm의 파장 범위를 갖는 자외선을 조사하여, 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것을 포함하되,상기 유기 실리콘 전구체는 Si-O 결합을 포함하고, 20℃ 및 1기압 하에서 1
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제12항에 있어서,상기 유기 실리콘 전구체는 폴리디메틸실록산(PDMS), 또는 테트라에틸오르소실리케이트(TEOS)를 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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제12항에 있어서,상기 유기 실리콘 패턴을 형성하는 것은, 순차적으로 적층된 유기 실리콘 패턴들을 형성하는 것을 포함하고,상기 실리콘 산화물 패턴을 형성하는 것은, 상기 유기 실리콘 패턴들에 자외선을 조사하여 순차적으로 적층된 실리콘 산화물 패턴들을 형성하는 것을 포함하는 3차원 구조체의 형성 방법
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