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3차원 단일 집적 저온 공정 기술을 위한 소스와 드레인 컨택의 금속-유전층-반도체 구조 및 그 제조 방법(Metal-Interlayer-Semiconductor Structure on Source/Drain Contact for Low Temperature Fabrication with Monolithic 3D Integration Technology and Manufacturing Method)

  • 기술번호 : KST2016015963
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 소스 또는 드레인이 형성되는 반도체 소자에 관한 것으로, 반도체층, 반도체 소자의 소스 또는 드레인을 형성하는 금속층, 및 상기 금속층과 상기 반도체층 사이에 형성되는 유전층을 포함함으로써, 저온 공정만으로 낮은 컨택 저항을 구현하는 반도체 소자를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 21/314 (2006.01) H01L 29/49 (2006.01) H01L 29/66 (2006.01)
CPC H01L 29/49(2013.01) H01L 29/49(2013.01)
출원번호/일자 1020150025561 (2015.02.24)
출원인 고려대학교 산학협력단, 인하대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0103283 (2016.09.01) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 인하대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 미추홀구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유현용 대한민국 서울특별시 서초구
2 김광식 대한민국 서울특별시 성북구
3 김승환 대한민국 서울특별시 성북구
4 최리노 대한민국 서울특별시 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
2 인하대학교 산학협력단 인천광역시 미추홀구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0180044-96
2 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2015.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0307919-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.07.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5098802-16
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0001772-06
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0137361-37
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0175315-81
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0387443-88
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0485575-72
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0595957-12
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.07.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0681889-45
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0681879-99
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.05 수리 (Accepted) 4-1-2016-5127132-49
14 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2016.11.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0823030-98
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.06 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2016-1194397-27
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-1194396-82
17 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0353061-91
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0353050-99
19 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2017-0597484-09
20 법정기간연장승인서
2017.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0087161-87
21 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.07.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0647345-78
22 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0647331-39
23 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.08.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0555599-13
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5036549-31
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.27 수리 (Accepted) 4-1-2018-5266647-91
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
소스 또는 드레인이 형성되는 반도체 소자에 있어서,반도체층;반도체 소자의 소스 또는 드레인을 형성하는 금속층; 및상기 금속층과 상기 반도체층 사이에 형성되는 유전층을 포함하고, 상기 유전층은 원자층 증착 공정(ALD)을 통해 도핑되어, 상기 소스와 드레인 컨택에 상기 도핑된 유전층이 삽입된 구조에 의해 상기 소스와 드레인의 오믹 컨택을 저온 공정으로 구현하게 하고, 상기 저온 공정만으로 컨택 저항을 상기 유전층이 비도핑된 경우보다 낮추는, 반도체 소자
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 유전층은,상기 반도체층과의 전도띠 오프셋(CBO)이 임계치 이하인 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유전층은,임계치 이상의 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
5 5
제 1 항에 있어서,상기 유전층은,컨택저항이 최소가 되는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서,상기 금속층은,상기 반도체가 n형 반도체인 경우, 상기 반도체층의 전자친화도와의 차이가 임계치 이하인 금속으로 형성되고,상기 반도체가 p형 반도체인 경우, 상기 반도체층의 전자친화도 및 밴드갭 에너지의 합과의 차이가 임계치 이하인 금속으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
8 8
반도체 소자에 소스 또는 드레인을 형성하는 방법에 있어서,반도체층 상에 유전층을 적층하는 단계;상기 유전층에 도핑을 수행하는 단계; 및 상기 유전층 상에 소스 또는 드레인을 형성하는 금속층을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 유전층은 원자층 증착 공정(ALD)을 통해 도핑되어,상기 소스와 드레인 컨택에 상기 도핑된 유전층이 삽입된 구조에 의해 상기 소스와 드레인의 오믹 컨택을 저온 공정으로 구현하게 하고, 상기 저온 공정만으로 컨택 저항을 상기 유전층이 비도핑된 경우보다 낮추는 방법
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 8 항에 있어서,상기 유전층은,상기 반도체층과 전도띠 오프셋(CBO)가 임계치 이하인 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
12 12
제 8 항에 있어서,상기 유전층은,임계치 이상의 밴드갭 에너지를 갖는 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
13 13
제 8 항에 있어서,상기 유전층은,컨택저항이 최소가 되는 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2016137123 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2016137123 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 인하대학교 산학협력단 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(반도체공정장비) 시퀀셜 소자 적층을 위한 초저온 전공정 집적 기술 개발