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아연이 도핑된 주석 산화물 박막의 제조 방법(Method of fabricating for Zn doped tin oxide)

  • 기술번호 : KST2016016026
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연이 도핑된 주석 산화물 박막의 제조 방법이 제공된다. 상기 박막의 제조 방법으, 주석 및 아연을 포함하는 소스 용액(source solution)을 준비하는 단계, 및 상기 소스 용액을 기판 상에 제공하여, 아연이 도핑된 주석 산화물을 포함하는 베이스 막(base layer)을 제조하는 단계를 포함하되, 상기 베이스 막 내에 아연의 함량이 상기 소스 용액 내에 아연의 함량보다 낮은 것을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/208 (2006.01)
CPC H01L 21/288(2013.01) H01L 21/288(2013.01)
출원번호/일자 1020150025642 (2015.02.24)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0103576 (2016.09.02) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.24)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박진성 대한민국 경기 성남시 분당구
2 배재윤 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박상열 대한민국 서울 금천구 가산디지털*로 *** **층 ****호(나눔국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2015-0180798-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0059159-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.06.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0403646-62
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.08.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0748333-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0854673-04
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0950910-50
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1042559-52
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0232974-01
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2017-0425754-98
11 법정기간연장승인서
2017.05.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0059866-55
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0517368-57
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0517369-03
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0455210-67
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
주석 및 아연을 포함하는 소스 용액(source solution)을 준비하는 단계; 및상기 소스 용액을 기판 상에 제공하여, 아연이 도핑된 주석 산화물을 포함하는 베이스 막(base layer)을 제조하는 단계를 포함하되, 상기 베이스 막 내에 아연의 함량이 상기 소스 용액 내에 아연의 함량보다 낮은 것을 포함하고, 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 제공하는 단계는, 상기 소스 용액을 액적(液滴, droplet) 상태로 분무시키는 단계; 및상기 액적 상태의 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하는 박막의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막 내에 아연의 함량은 1% 미만인 것을 포함하는 박막의 제조 방법
4 4
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막의 이동도는 14 cm2/Vs 보다 큰 것을 포함하는 박막의 제조 방법
5 5
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막은 상압(常壓) 조건에서 제조되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 소스 용액을 준비하는 단계는, 주석 화합물 및 아연 화합물을 준비하는 단계; 및동일한 양의 상기 주석 화합물 및 상기 아연 화합물을 용매에 용해하는 단계를 포함하는 박막의 제조 방법
7 7
제6 항에 있어서, 상기 주석 화합물은 SnCl2, SnCl2 2H2O, CH3(CH2)3SnCl3, 또는 SnCl4 중에서 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 아연 화합물은 ZnCl2, (CH3CO2)2Zn, Zn(CH3COO)2 2H2O, 또는 Zn(NO3)2 xH2O(x는 1 이상의 정수) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 박막의 제조 방법
8 8
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막은 결정질 주석 산화물에 아연이 도핑된 구조를 갖는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
9 9
제8 항에 있어서, 상기 베이스 막은 결정질 구조(crystalline structure)를 갖는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
10 10
제1 항에 있어서, 상기 소스 용액 내에 주석에 대한 아연의 비율보다, 상기 베이스 막 내에 주석에 대한 아연의 비율이 더 낮은 것을 포함하는 박막의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2016137233 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2016137233 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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