| 1 |
1
용매를 준비하는 단계;상기 용매에 주석(Sn) 화합물을 용해하여, 소스 용액(source solution)을 제조하는 단계; 및 상기 소스 용액을 이용하여 기판 상에 주석을 포함하는 베이스 막(base layer)을 제조하되, 상기 용매의 종류에 따라서, 상기 베이스 막의 결정 구조(crystal structure)를 조절하는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 용매는, 아세톤(acetone), 또는 메탄올(methanol) 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서, 상기 용매가 아세톤인 경우, 상기 베이스 막은, 사방정계(orthorhombic) 결정 구조를 갖고, 상기 용매가 메탄올인 경우, 상기 베이스 막은, 정방정계(tetragonal) 결정 구조를 갖는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 4 |
4
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막은, 상압(常壓) 조건에서 제조되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막을 제조하는 단계는, 상기 소스 용액을 액적(液滴, droplet) 상태로 분무시키는 단계; 및상기 액적 상태의 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 제공하는 단계를 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막을 제조하는 단계는, 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 스핀 코팅(spin coating)하는 것, 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 딥 코팅(dip coating), 또는 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 바 코팅(bar coating)하는 것 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 주석 화합물은, SnCl2를 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 8 |
8
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막은 주석 산화막을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 9 |
9
제1 항에 있어서, 상기 베이스 막은, 사방정계 결정 구조를 갖고, 상기 베이스 막을 제조하는 단계는, 250℃~400℃에서 수행되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 10 |
10
아세톤 및 메탄올을 포함하는 용매를 준비하는 단계;상기 용매에 주석 화합물을 용해하여, 소스 용액을 제조하는 단계; 및상기 소스 용액을 이용하여 기판 상에 주석을 포함하는 베이스 막을 제조하되, 상기 아세톤 및 상기 메탄올의 함량에 따라서, 상기 베이스 막의 전기 전도도가 조절되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 11 |
11
제10 항에 있어서, 상기 용매 내에 상기 아세톤의 함량이 증가될수록, 상기 베이스 막의 전기 전도도가 증가되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서, 상기 베이스 막은, 사방정계 결정 구조 및 정방정계 결정 구조를 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 13 |
13
제12 항에 있어서, 상기 용매 내에 상기 메탄올 대비 상기 아세톤의 함량이 증가될수록, 정방정계 결정 구조 대비 사방정계 결정 구조의 비율이 증가되는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
| 14 |
14
제10 항에 있어서, 상기 베이스 막을 제조하는 단계는, 상기 소스 용액을 상기 기판 상에 제공하는 것을 포함하는 박막의 제조 방법
|
