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열처리를 이용한 폴리사이오펜 박막과 금속 전극 계면 간의 접촉 특성 향상방법(METHOD FOR IMPROVING CONTACT PROPERTIES BETWEEN POLYTHIOPHENE FILM AND METAL ELECTRODE USING THERMAL TREATMENT)

  • 기술번호 : KST2016016039
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열처리를 이용한 폴리사이오펜 박막과 금속 전극 계면 간의 접촉 특성 향상방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 전도성 고분자인 폴리사이오펜(예컨대, P3HT) 박막을 그 융점보다 높은 온도로 가열한 후 천천히 냉각시킴으로써, 폴리사이오펜 박막의 분자 배향(Orientation) 및 정렬성(Ordering)을 향상/변화시키고, 이에 따라 증착 금속(예컨대, 금)이 폴리사이오펜 박막 내로 침투되는 양을 제한하여 이들 사이의 계면 특성 및 접촉 저항을 개선하며, 그 결과 전하이동도 등 전기적 성능이 우수한 소자를 제공할 수 있는, 열처리를 이용한 폴리사이오펜 박막과 금속 전극 계면 간의 접촉 특성 향상방법, 이에 따라 열처리된 폴리사이오펜 박막, 및 이를 포함하는 전계효과 트랜지스터(Field-Effect Transistors; FETs)에 관한 것이다.
Int. CL H01L 51/05 (2006.01.01) H01L 51/10 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01)
CPC H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01) H01L 51/0508(2013.01)
출원번호/일자 1020150015498 (2015.01.30)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1653091-0000 (2016.08.25)
공개번호/일자 10-2016-0094568 (2016.08.10) 문서열기
공고번호/일자 (20160901) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.01.30)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박영돈 대한민국 인천광역시 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 차준용 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ***(구로동) 제이엔케이디지털타워 ****호(거번국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0106575-04
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2015.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2015-0231576-48
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.10.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.11.27 수리 (Accepted) 9-1-2015-0074291-01
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2015.12.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0886748-25
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0152335-11
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0152355-13
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075573-17
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2016.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0507912-18
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0775462-91
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2016.08.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0775463-36
12 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2016.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0602924-17
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 전도성 고분자로서 분자량(Mw)이 20~30kDa, 융점(Tm)이 200~225℃인 폴리(3-헥실사이오펜)(Poly(3-hexylthiophene); P3HT)을 기판 상에 코팅하여 폴리사이오펜 박막을 형성하는 단계;b) 폴리사이오펜 박막을 그 융점 초과, 300℃ 이하의 온도로 가열하여 완전 용융시키는 단계;c) 완전 용융된 폴리사이오펜 박막을 서냉(Slow Cooling)시켜 박막의 모폴로지를 막대형상(Rod-like)의 모폴로지로 변화시키는 단계; 및d) 냉각된 폴리사이오펜 박막 상에 금속을 증착시켜 금속 전극층을 형성하되, 증착된 금속 총 중량 대비 3~10%의 금속이 폴리사이오펜 박막 두께의 5~30%에 해당하는 깊이까지만 박막 내로 침투되도록 하는 단계;를 포함하고,상기 a) 내지 d) 단계를 거친 폴리사이오펜 박막은, 금속 전극이 전도성 고분자 박막 위에 위치하는 탑 컨택트(Top contact) 구조의 전계효과 트랜지스터(Field-Effect Transistors; FETs)에 사용되는 것이며,상기 a) 내지 d) 단계를 거쳐 형성된, 폴리사이오펜 박막 및 금속 전극 계면의 접촉 저항(Contact resistance)은 6
2 2
제1항에 있어서,상기 a) 단계의 코팅은 스핀 코팅(Spin-coating) 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는, 열처리를 이용한 폴리사이오펜 박막과 금속 전극 계면 간의 접촉 특성 향상방법
3 3
제1항에 있어서,상기 b) 단계는 상기 폴리사이오펜 박막을 240℃의 온도로 10~30분 동안 가열하여 완전 용융시키는 것임을 특징으로 하는, 열처리를 이용한 폴리사이오펜 박막과 금속 전극 계면 간의 접촉 특성 향상방법
4 4
제1항에 있어서,상기 d) 단계의 금속은 금(Gold)인 것을 특징으로 하는, 열처리를 이용한 폴리사이오펜 박막과 금속 전극 계면 간의 접촉 특성 향상방법
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순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부 인천대학교 산학협력단 기본연구 π-전자분자 기반 n차원 나노구조체의 전하이동 메카니즘 분석