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밴드갭 보유 그래핀으로서,그래핀, 및상기 그래핀에 1
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제1항에 있어서, 상기 그래핀은 결정성 그래핀인 것인 밴드갭 보유 그래핀
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제2항에 있어서, 상기 결정성 그래핀은 실리콘 카바이드에 의해 형성되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 결정성 그래핀은 1,200℃ ∼ 1,250℃의 기판에서 성장되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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5
제1항에 있어서, 상기 세슘 이온은 50 eV ∼ 100 eV의 에너지로 흡착되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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6
제1항에 있어서, 상기 세슘 이온은 기판에 대한 이온 빔 전류 밀도가 1
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7
제4항에 있어서, 상기 세슘 이온은 100K ∼ 150K에서 흡착되고, 상기 기판은 250℃ ∼ 300℃로 유지되는 것인 밴드갭 보유 그래핀
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8
삭제
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제1항에 있어서, 중성 세슘을 더 포함하는 밴드갭 보유 그래핀
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제9항에 있어서, 상기 밴드갭은 상기 중성 세슘을 0
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밴드갭 보유 그래핀 제조 방법으로서,그래핀을 제공하는 그래핀 제공 단계; 및상기 그래핀에 세슘 이온을 1
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12
제11항에 있어서, 상기 그래핀 제공 단계는 결정성 그래핀 형성 단계를 포함하는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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13
제12항에 있어서, 상기 결정성 그래핀 형성 단계는 상기 결정성 그래핀을 실리콘 카바이드에 의해 형성하는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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14
제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 결정성 그래핀 형성 단계는 1,200℃ ∼ 1,250℃의 기판에서 그래핀을 성장시키는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 세슘 이온 흡착 단계는 상기 세슘 이온을 50 eV ∼ 100 eV의 에너지로 흡착시키는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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제11항에 있어서, 상기 세슘 이온 흡착 단계는 기판에 대한 이온 빔 전류 밀도가 1
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제14항에 있어서, 상기 세슘 이온 흡착 단계는 상기 세슘 이온을 100K ∼ 150K에서 흡착시키고, 상기 기판을 250℃ ∼ 300℃로 유지하는 것인 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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18
삭제
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제11항에 있어서, 중성 세슘을 흡착시키는 단계를 더 포함하는 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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제19항에 있어서, 상기 중성 세슘을 0
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제11항에 있어서, 중성 세슘을 이용하여 n-타입 도핑시킨 후, 세슘 이온을 흡착시켜 상기 밴드갭의 전체 크기를 측정하는 단계를 포함하는 밴드갭 보유 그래핀 제조 방법
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세슘 이온과 중성 세슘의 흡착량 확인 방법으로서,1
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제22항에 있어서,단위층(1 ML: 1 Monolayer) 단위의 흡착량에 대한 일함수 변화를 측정하는 단계; 및상기 일함수 변화를 흡착된 세슘 이온 또는 중성 세슘 함량으로 환산하는 단계를 포함하는 세슘 이온과 중성 세슘의 흡착량 확인 방법
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