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열플라즈마 제트 발생가스를 공급하여 열플라즈마 제트를 발생시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 발생된 열플라즈마 제트를 이용하여 갈륨 원료 분말을 용융 및 기화시키는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 기화된 갈륨 원료 분말에 반응 가스를 주입하는 단계(단계 3); 및 상기 기화된 분말을 냉각시키는 단계(단계 4);를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 갈륨 원료 분말은 갈륨 분말 또는 갈륨 화합물 분말인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 갈륨 원료 분말이 갈륨 나이트레이트 수화물 분말인 경우, 열플라즈마 제트에 멜라민(melamine), 시안아마이드(cyanamide), 2-시아노구아니딘(2-cyanoguanidine) 및 구아니딘(guanidine)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 화합물이 더 공급되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 화합물은 상기 단계 1의 열플라즈마 제트 발생 방향으로 공급되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 발생 가스는 아르곤, 질소 및 아르곤과 질소의 혼합가스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1에서 발생되는 열플라즈마 제트의 출력은 7 kW 내지 15 kW인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 반응 가스는 암모니아 가스인 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 4를 수행하고 난 후, 제조된 질화갈륨 나노분말을 열처리하는 단계(단계 5);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 단계 5의 열처리는 600 ℃ 내지 1,000 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 질화갈륨 나노분말의 제조방법
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