| 1 |
1
플렉서블 기판; 및상기 플렉서블 기판 상에 인쇄 공정을 통해 형성되며, 태양 전지로부터 공급받은 직류 전압을 교류 전압으로 전환하는 링오실레이터;를 포함하되,상기 링오실레이터는상기 플렉서블 기판 상에 전도성 잉크로 인쇄된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 유전체 잉크로 인쇄된 유전층;상기 유전층 상에 싱글벽 나노튜브(SWNT)를 포함하는 반도체 잉크로 인쇄된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 상기 전도성 잉크로 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 태양 전지로부터 그룹전압 전송 방식으로 직류 전압을 공급받을 경우, 상기 링오실레이터는 p형 트랜지스터를 포함하는 PMOS 소자이며,상기 p형 트랜지스터는 상기 반도체층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 에폭시(epoxy)를 포함하는 페시베이션 잉크로 인쇄된 페시베이션층을 더 포함하되,상기 페시베이션 잉크는 무기물 반도체 및 금속 산화물 반도체 중 적어도 하나를 더 포함하는 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
플렉서블 기판; 및상기 플렉서블 기판 상에 인쇄 공정을 통해 형성되며, 태양 전지로부터 공급받은 직류 전압을 교류 전압으로 전환하는 링오실레이터;를 포함하되,상기 링오실레이터는상기 플렉서블 기판 상에 전도성 잉크로 인쇄된 게이트 전극;상기 게이트 전극 상에 유전체 잉크로 인쇄된 유전층;상기 유전층 상에 싱글벽 나노튜브(SWNT)를 포함하는 반도체 잉크로 인쇄된 반도체층; 및상기 반도체층 상에 상기 전도성 잉크로 인쇄된 소스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 태양 전지로부터 개별전압 전송 방식으로 직류 전압을 공급받을 경우, 상기 링오실레이터는 p형 트랜지스터 및 n형 트랜지스터를 포함하는 CMOS 소자이며,상기 p형 트랜지스터는 상기 반도체층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 에폭시(epoxy)를 포함하는 페시베이션 잉크로 인쇄된 페시베이션층을 더 포함하되,상기 페시베이션 잉크는 무기물 반도체 및 금속 산화물 반도체 중 적어도 하나를 더 포함하고,상기 n형 트랜지스터는 상기 반도체층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 n형 도핑 잉크로 인쇄된 n형 도핑층을 포함하되,상기 n형 도핑 잉크는 에폭시, 폴리메타크릴산 메틸(PMMA) 및 산화폴리에틸렌(PEO) 중 적어도 하나의 고분자 물질과, 아민계 물질을 포함하는 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
복수의 태양 전지 셀을 포함하고 그룹전압 전송 방식 및 개별전압 전송 방식 중 하나로 직류 전압을 공급하는 태양 전지; 및제1항 또는 제5항의 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터;를 포함하는 태양 전지 모듈
|
| 8 |
8
(a) 플렉서블 기판 상에 그라비아 인쇄 공정으로 p형 트랜지스터를 형성하는 단계; 및(b) 상기 p형 트랜지스터에 n형 도핑 잉크를 인쇄하여 n형 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 (a)는상기 플렉서블 기판 상에 전도성 잉크로 게이트 전극을 인쇄하는 단계;상기 게이트 전극 상에 유전체 잉크로 유전층을 인쇄하는 단계;상기 유전층 상에 싱글벽 나노튜브(SWNT)를 포함하는 반도체 잉크로 반도체층을 인쇄하는 단계; 및상기 반도체층 상에 상기 전도성 잉크로 소스 전극과 드레인 전극을 인쇄하는 단계를 포함하고,상기 (a)는 상기 반도체층, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극 상에 에폭시(epoxy)를 포함하는 페시베이션 잉크로 페시베이션층을 인쇄하는 단계를 더 포함하되,상기 페시베이션 잉크는 무기물 반도체 및 금속 산화물 반도체 중 적어도 하나를 더 포함하는 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터 제조 방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,상기 전도성 잉크는 은 함량이 60 ~ 80중량%, 점도가 300 ~ 600cP, 표면 장력이 40 ~ 45mN/m인 은나노 잉크인 것을 특징으로 하는 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터 제조 방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,상기 유전체 잉크는 티탄산바륨(BaTiO3)를 포함하고, 점도가 50 ~ 60cP, 표면 장력이 30 ~ 33mN/m, 인쇄시 전기용량이 8 ~ 9nF/cm2인 것을 특징으로 하는 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터 제조 방법
|
| 13 |
13
제8항에 있어서,상기 반도체 잉크는 싱글벽 나노튜브를 포함하고, 점도가 20 ~ 30cP, 표면 장력이 25 ~ 27mN/m인 것을 특징으로 하는 인쇄 공정을 이용한 DC/AC 인버터 제조 방법
|
| 14 |
14
제8항에 있어서,상기 n형 도핑 잉크는 에폭시, 폴리메타크릴산 메틸(PMMA) 및 산화폴리에틸렌(PEO) 중 적어도 하나의 고분자 물질과, 아민계 물질을 포함하되,상기 n형 도핑 잉크는 상기 고분자 물질과 상기 아민계 물질이 1:1, 1:0
|
