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유전체 적층물 및 유전체 적층물의 제조 방법(DIELECTRIC LAMINATE AND MANUFACTURING METHOD OF DIELECTRIC LAMINATE)

  • 기술번호 : KST2016016231
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 유전체 적층물 및 유전체 적층물의 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 측면에 따른 유전체 적층물은 전도층; 및 전도층 상에 0.2㎛의 두께로 형성되고 상면의 거칠기에 대한 제곱평균제곱근값(RMS)이 14.3㎚ 이상 19.5㎚ 이하인 티탄산 바륨 박막;을 포함하다.
Int. CL H01L 27/08 (2006.01) H01L 49/02 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 27/0805(2013.01) H01L 27/0805(2013.01) H01L 27/0805(2013.01)
출원번호/일자 1020150028609 (2015.02.27)
출원인 광운대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1655992-0000 (2016.09.02)
공개번호/일자 10-2016-0105217 (2016.09.06) 문서열기
공고번호/일자 (20160908) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.02.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 노원구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김남영 대한민국 경기도 광주시
2 왕종 중국 서울특별시 성북구
3 이양 중국 서울특별시 노원구
4 요소 중국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광운대학교 산학협력단 서울특별시 노원구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0200673-53
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5074994-12
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.01.08 수리 (Accepted) 9-1-2016-0002243-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0154133-88
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0241751-56
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0241769-77
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.05.09 수리 (Accepted) 4-1-2016-5056854-41
9 등록결정서
Decision to grant
2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0618929-64
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.27 수리 (Accepted) 4-1-2017-5046666-19
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도층; 및상기 전도층 상에 0
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 전도층은 백금(Pt)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유전체 적층물
4 4
제3항에 있어서,상기 전도층은 두께가 150㎚인 것을 특징으로 하는 유전체 적층물
5 5
제1항, 제3항 또는 제4항에 있어서,상기 티탄산 바륨 박막은,하면의 거칠기가 50㎚ 미만인 것을 특징으로 하는 유전체 적층물
6 6
전도층 상에 0
7 7
제6항에 있어서,상기 티탄산 바륨층은,티탄산 바륨 파우더를 이용한 에어로졸 증착(Aerosol Deposition)으로 상기 전도층 상에 성막되는 것을 특징으로 하는 유전체 적층물의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 티탄산 바륨 파우더는,0
9 9
제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,상기 티탄산 바륨 박막은,급속열처리(Rapid Thermal Annealing, RTA) 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유전체 적층물의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 급속열처리(Rapid Thermal Annealing, RTA) 공정은질소 분위기 하에서 600℃ 내지 700℃의 온도로 60초 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 유전체 적층물의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.