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상온에서 기판의 일면에 티탄산바륨(BaTiO3)층을 형성하는 단계;상기 티탄산바륨(BaTiO3)층의 표면 중 적어도 일부에 에칭 마스크(etching mask)를 적층하는 단계;육불화황(SF6)가스, 산소(O2)가스 및 아르곤(Ar)가스를 포함하는 에칭 가스(etching gas)의 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma plasma)를 통해 상기 티탄산바륨(BaTiO3)층을 에칭하는 단계; 및에칭된 상기 티탄산바륨(BaTiO3)층을 산소 분위기의 가열 장치에서 포스트 어닐링하는 단계;를 포함하는 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 포스트 어닐링의 온도 범위는 745℃ 내지 755℃인, 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제2항에 있어서,상기 포스트 어닐링의 온도의 증감 비율은 1분당 3℃ 내지 4℃ 범위에서 증가 또는 감소하는 비율인, 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판은 백금(Pt), 티타늄(Ti), 이산화규소(SiO2) 및 실리콘(Si) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것인, 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 티탄산바륨(BaTiO3)층을 형성하는 단계는티탄산바륨(BaTiO3)분말을 에어로졸 챔버 내에서 에어로졸화 하는 단계; 및에어로졸화 된 상기 티탄산바륨(BaTiO3)분말이 노즐을 통해 토출되어, 상기 기판의 일면에 상기 티탄산바륨(BaTiO3)층을 형성하는 단계를 포함하는, 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제1항 또는 제3항에 있어서,상기 티탄산바륨(BaTiO3)층의 두께는 0
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제1항에 있어서,상기 에칭 마스크를 적층하는 단계는 상기 티탄산바륨(BaTiO3)층의 표면 중 적어도 일부에 네거티브 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 네거티브 포토레지스트를 노광시켜 포토리소그래픽 공정을 수행하는 단계; 상기 네거티브 포토레지스트를 소성하는 단계;상기 네거티브 포토레지스트를 현상제에서 현상하는 단계; 및상기 네거티브 포토레지스트를 아세톤을 이용하여 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는, 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제7항에 있어서,상기 에칭 마스크를 적층하는 단계는 금속을 전자빔 증착(e-beam eVaporation)에 의해 상기 네거티브 포토레지스트의 현상된 일면에 증착하는 단계;를 더 포함하는, 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 금속은 티타늄(Ti) 및 크롬(Cr) 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 에칭 마스크를 불산 또는 크롬 부식액을 사용하여 제거하는 단계;를 더 포함하는 티탄산바륨 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 티탄산바륨(BaTiO3)층을 에칭하는 단계는 상기 육불화황(SF6)가스, 상기 산소(O2)가스 및 상기 아르곤(Ar)가스의 유량을 70/5/10 SCCM 내지 75/5
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