| 1 |
1
비전도성 물질로 구성되는 제1 레이어; 및전도성 물질로 구성되며, 상기 제1 레이어상에 형성되며, 복수의 크랙의 폭이 변화됨에 따라 저항의 크기가 달라지도록 구성되는 제2 레이어를 포함하며,상기 제2 레이어는 상기 복수의 크랙이 상기 제2 레이어의 전 영역에 무작위적으로 균일하고 조밀하게 형성될 수 있도록 2μm 이하로 형성되며,상기 제2 레이어는 50%의 신장률의 측정범위를 가질 때 크랙의 폭이 5nm 이하로 형성될 수 있도록 백금으로 형성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서,상기 제1 레이어는,변형률을 측정하는 신장범위 내에서 크랙이 발생되지 않도록 신축성 부재로 구성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 3 |
3
제2 항에 있어서,상기 제2 레이어는,상기 복수의 크랙의 폭이 넓어짐에 따라 저항의 크기가 커지는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서,상기 제2 레이어는 신장시 상기 제2 레이어에 형성된 복수의 상기 크랙의 폭이 상기 신장되는 방향으로 넒어짐으로써 저항이 증가되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 5 |
5
제3 항에 있어서,상기 제2 레이어는 회귀시 상기 크랙의 폭이 회기되는 방향으로 좁아짐으로써 저항이 감소되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 6 |
6
제2 항에 있어서,상기 제1 레이어는 외력이 인가됨에 따라 길이가 신장되며, 상기 제2 레이어는 상기 제1 레이어와 함께 신장되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 7 |
7
제6 항에 있어서,상기 제2 레이어는 응력집중이 방지될 수 있도록 수 있도록 상기 제1 레이어의 상기 외력이 인가되는 지점으로부터 소정거리 이격되어 부착되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제2 항에 있어서,상기 제2 레이어는 제1 레이어 상에 스퍼터링(sputtering)으로 증착되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제9 항에 있어서,상기 제2 레이어는, 백금 타겟을 이용하며, 상기 제2 레이어의 두께를 1μm 이하로 형성시키는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 12 |
12
제3 항에 있어서,상기 제1 레이어는 200μm 이하로 생성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 13 |
13
제3 항에 있어서, 상기 제1 레이어는 폴리우레탄(Polyurethane)을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서
|
| 14 |
14
비전도성이고 신축성 부재로 구성되는 제1 레이어를 생성시키는 단계;상기 제1 레이어의 일면에 전도성으로 구성되는 제2 레이어를 2μm 이하로 생성시키는 단계; 및상기 제2 레이어를 최대 신장률 50% 이하로 신장시켜 상기 제2 레이어의 전 영역에 무작위적으로 균일하고 조밀하며, 폭이 5nm 이하로 형성되는 복수의 크랙을 발생시키는 단계를 포함하는 변형률 측정센서 제조방법
|
| 15 |
15
제14 항에 있어서,상기 복수의 크랙을 발생시키는 단계는,응력집중이 되지 않도록 상기 제1 레이어를 신장시킴으로써 상기 제2 레이어를 신장시키는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서 제조방법
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제14 항에 있어서,상기 제2 레이어를 생성시키는 단계는,상기 제1 레이어에 스퍼터링(sputtering)으로 상기 제2 레이어를 생성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서 제조방법
|
| 18 |
18
제17 항에 있어서,상기 스퍼터링 단계는, 백금 타겟을 이용하여 1μm이하의 두께로 형성시키는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서 제조방법
|
| 19 |
19
제14항에 있어서,상기 제1 레이어를 생성하는 단계는 폴리우레탄을 스핀코팅하여 생성하는 것을 특징으로 하는 변형률 측정센서 제조방법
|
| 20 |
20
비전도성이고 신축성 부재로 구성되며, 변형률을 측정하는 신장범위내에서 크랙이 발생되지 않도록 구성되는 제1 레이어 및 전도체로 구성되는 제1 레이어 및 상기 제1 레이어에 부착되며, 길이가 신장됨에 따라 복수의 크랙의 폭이 넓어짐으로써 저항이 증가되도록 구성되는 제2 레이어를 포함하는 변형률 측정센서;상기 변형률 측정센서의 양단에 전압을 인가하며, 상기 변형률 측정센서의 저항 값을 측정하도록 구성되는 측정부; 및상기 변형률 측정센서의 변형률에 대응되는 상기 저항 값에 대한 데이터로부터 상기 측정된 저항 값에 따른 상기 변형률을 출력하도록 구성되는 처리부를 포함하며,상기 제2 레이어는 신장률 50% 의 측정범위를 가질 때 폭이 5nm 이하인 크랙이 상기 제2 레이어의 전 영역에 무작위적으로 균일하고 조밀하게 형성되도록 2μm 이하의 두께로 형성되는 백금으로 구성되는 변형률 측정 시스템
|
