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신경 전극 어레이를 형성하는 단계;상기 신경 전극 어레이의 표면에 식각 용액에 대한 용해도가 서로 다른 제1 금속 나노 입자와 제2 금속 나노 입자를 동시에 전기 전착하는 단계; 및상기 제2 금속 나노 입자를 상기 식각 용액을 이용하여 선택적으로 식각하여 상기 신경 전극 어레이 표면에 상기 제1 금속 나노 입자로 구성된 다공성 구조를 형성하는 단계를 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 나노 입자는 금 나노 입자를 포함하고,상기 제2 금속 나노 입자는 은 나노 입자를 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 2 항에 있어서,상기 금 나노 입자로 구성된 상기 다공성 구조의 표면에 티올(thiol) 작용기를 포함하는 분자를 결합시키는 단계를 더 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 제1 금속 나노 입자는 백금 나노 입자를 포함하고,상기 제2 금속 나노 입자는 금 나노 입자를 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전기 전착 단계는전해질 용액 내에 작업 전극(working electrode)으로서 상기 신경 전극 어레이와, 상대 전극(counter electrode) 과, 참조전극(reference electrode) 을 제공하여 실시되는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 5 항에 있어서,상기 상대 전극으로서 백금판이 이용되고,상기 참조전극으로서 KCI 포화 용액 내의 Ag/AgCl 전극이 이용되는 신경 전극 표면 개질 방법
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제 5 항에 있어서,상기 전기 전착 단계에서상기 상대 전극과 상기 작업 전극에 -1
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제 5 항에 있어서,상기 전해질 용액은 상기 전기 전착으로 이종의 상기 제1 금속 나노 입자와 상기 제2 금속 나노 입자를 동시에 형성할 수 있는 용액으로 선택되는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 8 항에 있어서,상기 전해질 용액은 1
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제 1 항에 있어서,상기 제2 금속 나노 입자를 선택적으로 식각하는 단계는 25℃ ~ 90℃의 상기 식각 용액을 이용하여 0분 ~ 60분간 상기 제2 금속 나노 입자를 식각하는 단계를 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 10 항에 있어서,상기 식각 용액은 질산(HNO3)용액을 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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제 10 항에 있어서,상기 식각 용액은 KI용액을 포함하는 신경 전극의 표면 개질 방법
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