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벌크 실리콘 기판;상기 벌크 실리콘 기판 상에 배치되고, 상기 벌크 실리콘 기판의 일부를 노출하는 제 1 영역을 가지는 산화막;상기 산화막의 상면의 일부를 덮으며, 상기 제 1 영역을 덮지 않는 실리콘층;상기 제 1 영역을 통해 노출된 상기 벌크 실리콘 기판과 접촉하고, 상기 산화막 상에 배치되는 게르마늄층; 및상기 산화막 및 상기 실리콘층을 덮고 상기 게르마늄층의 상면을 노출시키는 절연층을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 1 항에 있어서, 상기 실리콘층과 상기 게르마늄층은 이격되게 배치되는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 1 항에 있어서,상기 게르마늄층은:상기 제 1 영역을 채워 상기 벌크 실리콘 기판과 접촉하는 성장층; 및상기 성장층과 연결되고, 상기 산화막 상에 배치되는 게르마늄 단결정층을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 3 항에 있어서,상기 게르마늄 단결정층의 두께는 상기 절연층의 두께와 동일한 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 1 항에 있어서,상기 산화막은 상기 벌크 실리콘 기판을 향하여 리세스된 제 2 영역을 가지는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 5 항에 있어서,상기 게르마늄 단결정층의 두께는 상기 절연층의 두께보다 큰 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 1 항에 있어서,상기 절연층의 상면과 상기 게르마늄층의 상면이 동일한 레벨인 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 영역은:상기 벌크 실리콘 기판의 상면과 평행한 제 1 방향을 따르는 너비; 및상기 제 1 방향과 수직한 제 2 방향을 따르는 높이를 가지며,상기 제 1 영역의 너비는 상기 제 1 영역의 높이보다 작은 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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벌크 실리콘 기판;상기 벌크 실리콘 기판 상에 배치되고, 상기 벌크 실리콘 기판의 일부를 노출하는 제 1 영역 및 상기 벌크 실리콘 기판을 향하여 리세스된 제 2 영역을 가지는 산화막;상기 산화막의 상면의 일부를 덮는 실리콘층;상기 제 1 영역을 통해 노출된 상기 벌크 실리콘 기판을 종자층으로 하여 상기 산화막 상으로 성장되는 게르마늄층; 및상기 실리콘층 상에 배치되는 절연층을 포함하고,상기 게르마늄층은 상기 실리콘층과 접촉하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 9 항에 있어서,상기 게르마늄층은:상기 제 1 영역을 채워 상기 벌크 실리콘 기판과 접촉하는 성장층; 및상기 성장층과 연결되고, 상기 산화막 상으로 성장되는 게르마늄 단결정층을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 10 항에 있어서,상기 게르마늄 단결정층의 두께는 상기 절연층과 상기 실리콘층의 두께의 합보다 큰 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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제 9 항에 있어서,상기 절연층의 상면과 상기 게르마늄 단결정층의 상면은 동일한 평면에 위치하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판
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벌크 실리콘 기판 상에 산화막 및 실리콘층을 순차적으로 적층하고;상기 실리콘층의 일부를 식각하여 상기 산화막을 일부 노출시키고;상기 실리콘층 및 상기 노출된 상기 산화막을 덮는 절연층을 형성하고;상기 산화막의 상면이 노출되도록 상기 절연층의 일부를 식각하고;상기 벌크 실리콘 기판의 일부가 노출되도록 상기 산화막을 식각하고; 그리고상기 노출된 벌크 실리콘 기판으로부터 성장되고 상기 산화막 상에 배치되는 게르마늄층을 형성하는 것을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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제 13 항에 있어서,상기 절연층의 일부를 식각하는 것은:상기 실리콘층을 식각한 너비보다 작은 식각 너비를 가지도록 상기 절연층을 식각하는 것을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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제 13 항에 있어서,상기 산화막을 식각하는 것은:상기 산화막의 일부를 식각하여 상기 벌크 실리콘 기판의 일부를 노출시키는 제 1 영역를 형성하는 것을 포함하고,상기 제 1 영역의 높이는 상기 제 1 영역의 너비보다 큰 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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제 13 항에 있어서,상기 절연층의 일부를 식각한 후, 상기 산화막의 상면이 노출된 식각 너비보다 넓은 식각 너비를 가지도록 상기 산화막을 식각하여 제 2 영역을 형성하는 것을 더 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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17
제 16 항에 있어서,상기 게르마늄층을 형성하는 것은:상기 산화막의 상면과 같은 레벨까지 상기 제 2 영역에서 상기 게르마늄 단결정층을 성장하고;상기 실리콘층의 측면과 상기 절연층의 측면이 동일평면상에 위치하도록 상기 절연층을 식각하고; 그리고상기 게르마늄 단결정층을 적어도 상기 절연층의 상면까지 성장시키는 것을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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제 17 항에 있어서,상기 절연층과 상기 게르마늄 단결정층의 상면이 동일한 레벨에 위치하도록 화학적 기계적 연마공정을 수행하는 것을 더 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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제 13 항에 있어서,상기 게르마늄층을 형성하는 것은 감압화학기상증착공정(RPCVD) 또는 초고진동화학기상증착공정(UHVCVD)으로 상기 게르마늄층을 증착하는 것을 포함하는 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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제 13 항에 있어서,상기 게르마늄층을 형성하는 것은 GeH4와 H2 혼합가스를 사용하여 400℃ 내지 700℃의 증착 온도에서 상기 게르마늄층을 증착하는 것을 포함하고,상기 GeH4와 H2 혼합가스의 유량은 10sccm 내지 100scm인 게르마늄 온 인슐레이터 기판의 형성방법
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