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동적인 움직임으로 냉각매체의 흐름을 발생시키는 외팔보를 갖는 기판;상기 기판 상에 제공된 활성영역;상기 기판 상에 상기 활성영역과 이격되어 배치되는 절연막;상기 절연막 상에 배치되는 하부 전극;상기 하부 전극 상에 배치되는 압전막; 및 상기 압전막 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 상기 활성영역이 배치되는 본체와 상기 본체의 적어도 일측으로부터 연장된 상기 외팔보를 포함하고,상기 외팔보는 상기 본체에 비해 작은 두께를 갖는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 외팔보의 상면은 상기 본체의 상면과 동일한 레벨을 가지고, 상기 외팔보의 하면 아래에는 상기 외팔보가 움직일 수 있는 개방 공간이 제공된 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 외팔보의 두께는 1μm 내지 100μm인 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 외팔보와 상기 본체는 동일한 물질로 구성되고,상기 물질은 실리콘(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 또는 갈륨비소(GaAs)를 포함하는 반도체 소자
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제 2 항에 있어서,상기 절연막은 상기 외팔보와 상기 본체의 상면들의 일부들을 덮도록 배치되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 외팔보는 상기 기판의 일측에 제공되는 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 외팔보는 상기 기판의 일측 및 상기 일측에 마주보는 타측에 제공되는 반도체 소자
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제 1항에 있어서,상기 활성영역은 트랜지스터, 다이오드, 중앙처리장치(CPU), 주문형반도체(application specific integrated circuit: ASIC), 마이크로 센서, 마이크로 구동기 또는 미세기전집적시스템(microelectromechanical system: MEMS)을 포함하는 반도체 소자
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제 1항에 있어서,상기 하부 전극과 상기 상부 전극에 전기적으로 연결된 전원부를 더 포함하고, 상기 전원부는 상기 하부 전극 및 상기 상부 전극을 통해 상기 압전막에 전기 에너지를 인가하는 반도체 소자
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전자 소자가 제공된 활성영역이 배치되는 기판; 및동적인 움직임으로 상기 활성영역을 냉각하는 제 1 냉각부를 포함하고,상기 제 1 냉각부는:상기 기판의 일측으로부터 연장되고, 상기 기판보다 얇은 두께를 가지는 외팔보;상기 외팔보의 진동을 유발하고, 인가되는 전기 에너지에 의해 기계적 스트레인을 발생시키는 압전막; 및상기 압전막을 사이에 두고 배치된 한 쌍의 대향전극들을 포함하는 반도체 소자
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제 11 항에 있어서,상기 대향전극들은:상기 압전막 하면 상에 배치되는 하부 전극; 및상기 압전막 상면 상에 배치되는 상부 전극을 포함하는 반도체 소자
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제 11 항에 있어서,노출된 상기 하부 전극 상에 배치되는 하부 전극 패드; 및상기 상부 전극 상에 배치되는 상부 전극 패드를 더 포함하는 반도체 소자
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제 11 항에 있어서,상기 하부 전극 패드 및 상기 상부 전극 패드와 전기적으로 연결되는 전원부를 더 포함하고,상기 전원부는 상기 하부 전극 패드 및 상기 상부 전극 패드를 통해 상기 압전막에 전기 에너지를 공급하는 반도체 소자
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제 11 항에 있어서,상기 일측에 마주보는 상기 기판의 타측에 제공되는 제 2 냉각부를 더 포함하고,상기 제 2 냉각부는 상기 제 1 냉각부와 동일한 구조를 갖는 반도체 소자
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제 11 항에 있어서,상기 외팔보의 하면 아래에 제공된 개방 공간을 더 포함하고,상기 개방 공간의 높이는 진동하는 상기 외팔보의 진폭보다 큰 반도체 소자
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